[发明专利]双面抛光的修布工艺

说明书

本发明涉及一种双面抛光的修布工艺，所属硅片加工工艺技术领域，包括如下操作步骤：第一步：测试初始的抛光布厚N。第二步：接着使用金刚砂轮A进行修布压合，接着采用修布程序进行修布。修布程序：第一阶段，砂轮转速:上盘转速=0.5～2:1，砂轮转速：下盘转速=2～10:‑1(负值表示行进方向相反)；第二阶段，砂轮转速：上盘转速=2～10:‑1，砂轮转速：下盘转速=0.5～2:1。第三步：测试修布后的抛光布厚M，通过N‑M得出去除量。第四步：当厚度去除量不足20～120μm，使用金刚砂轮A再次压合修布。第五步：当厚度去除量达到20～120μm，改用砂轮压合修布，修布去除量达到10‑30μm后修布完成。具有确保抛光稳定和平坦度稳定的特点。解决了金刚砂轮易磨损的问题。

技术领域

本发明涉及硅片加工工艺技术领域，具体涉及一种双面抛光的修布工艺。

背景技术

双面抛光需要在机台上下盘贴附抛光布后，在有抛光液的状态下旋转对硅片进行加工，实现硅片的高平整度。

抛光布贴附后通常需要进行‘修布’，来去除一定表层，目的是使不平整的布表面修整到足够平整和均一，可以加工出符合平坦度要求的布状态。

第一种情况是帖上新布修布，修布会起到对抛光布表面平整度均一化的作用，主要实现减少新布表面不平整对硅片带来的划伤，同时布的平整可以保证加工时硅片平坦度参数稳定，一般加工企业为了实现工艺可重复性，会对新布的去除厚度进行定量，如去除20～150微米后开始加工。

第二种情况是加工过程中修布，抛光布随着加工量增加，其表面微观状态是逐渐变得光滑(平整)，光滑的抛光布表面状态会导致对硅片的去除速率下降，也就是抛光效率下降，如果不做任何处理，最终平坦度会恶化，划伤也会增加，这时候也需要对布进行修整。

发明内容

本发明主要解决现有技术中存在的不足，提供了一种双面抛光的修布工艺，其具有确保抛光稳定和平坦度稳定的特点。解决了金刚砂轮易磨损的问题。

本发明的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：

一种双面抛光的修布工艺，包括如下操作步骤：

第一步：测试初始的抛光布厚N。

第二步：接着使用金刚砂轮A进行修布压合，修布压力为100～200DaN，接着采用修布程序进行修布。

修布程序：第一阶段，砂轮转速:上盘转速=0.5～2:1，砂轮转速：下盘转速=2～10:-1(负值表示行进方向相反)；第二阶段，砂轮转速：上盘转速=2～10:-1，砂轮转速：下盘转速=0.5～2:1。

第三步：测试修布后的抛光布厚M，通过N-M得出去除量。

第四步：当厚度去除量不足20～120μm，使用金刚砂轮A再次压合修布。

第五步：当厚度去除量达到20～120μm，改用砂轮压合修布，修布去除量达到10-30μm后修布完成。

作为优选，金刚砂轮A固定金刚砂的方式可以是电镀或烧结，金刚砂的目数可以是60～200目，枚数为3或4枚；金刚砂轮B固定金刚砂的方式可以是电镀或烧结，金刚砂的目数可以是100～200目，枚数为3或4枚。

作为优选，当金刚砂轮A、金刚砂轮B数量为3枚时，金刚砂轮正反两面有金刚砂；当金刚砂轮A、金刚砂轮B数量为4枚时，金刚砂轮单面或双面有金刚砂。

作为优选，当厚度去除量不足40～90μm时，砂轮A再次修布采用优选程序；优选程序：第一阶段，砂轮转速：上盘转速=2～10:-1，砂轮转速：下盘转速=4～8:1；第二阶段，砂轮转速：上盘转速=2～8:1，砂轮转速：下盘转速=2～10:-1。

作为优选，当金刚砂轮A、金刚砂轮B进行修布时，上盘的管道中流出水或加工时的抛光液，流量为4～12L/min，温度为16～30℃。