[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

半导体基板；

第1金属层，其设置于所述半导体基板之上；

第2金属层，其设置于所述第1金属层之上，材料包含Ni；以及

第3金属层，其设置于所述第2金属层之上，材料包含Cu或Ni，

所述第2金属层的维氏硬度大于或等于400Hv，比所述第3金属层硬，

所述第3金属层比所述第1金属层硬。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第2金属层包含P作为杂质。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

具有阻挡金属层，该阻挡金属层设置于所述半导体基板与所述第1金属层之间，

所述阻挡金属层比所述第1金属层硬。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

具有绝缘膜，该绝缘膜设置于所述半导体基板与所述第1金属层之间，形成有使所述半导体基板露出的开口，

所述第1金属层经由所述开口而与所述半导体基板电连接。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

具有第4金属层，该第4金属层设置于所述开口，将所述半导体基板与所述第1金属层电连接。

6.根据权利要求4或5所述的半导体装置，其特征在于，

在所述绝缘膜，多个所述开口在俯视观察时形成为点状。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第3金属层的上表面形成凹凸。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

具有密接层，该密接层使所述第2金属层与所述第3金属层密接。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

具有Au层，该Au层设置于所述第2金属层与所述第3金属层之间。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

具有树脂层，该树脂层设置于所述第1金属层的上表面的一部分，被所述第2金属层覆盖。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

所述树脂层设置于进行导线键合的区域的正下方。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

具有防氧化膜，该防氧化膜设置于所述第3金属层之上。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在于，

具有导线，该导线将所述防氧化膜贯通而与所述第3金属层电连接。

14.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，

所述导线的材料包含Cu。

15.根据权利要求1至12中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

具有导线，该导线与所述第3金属层电连接，材料包含Cu。

16.根据权利要求1至12中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

具有焊料，该焊料设置于所述第3金属层之上。