[发明专利]深槽器件背部集成的三维芯粒封装工艺及结构

权利要求书

1.一种深槽器件背部集成的三维芯粒封装工艺，其特征是，包括：

提供芯粒封装基体，其中，所述芯粒封装基体包括主芯片以及塑封于所述主芯片正面上的芯粒组，芯粒组包括至少一个芯粒，芯粒组内的芯粒与主芯片互联；

对上述芯粒封装基体，在主芯片的背面进行深槽器件集成工艺，以在所述主芯片的背面集成所需的深槽器件，所述深槽器件包括深槽电容和/或深槽电感，深槽器件与主芯片和/或芯粒组内相应的芯粒适配电连接；

深槽器件集成后，在主芯片的背面制备引出连接组件，利用所制备的引出连接组件将主芯片、芯粒组、深槽器件适配电连接所形成的芯粒封装体从主芯片的背面引出。

2.根据权利要求1所述深槽器件背部集成的三维芯粒封装工艺，其特征是，在主芯片的背面进行深槽器件集成时，所述集成工艺包括

在主芯片的背面制备所需的器件槽，所述器件槽的从主芯片的背面垂直向所述主芯片的正面方向延伸；

在上述器件槽内制备器件体，其中，器件体填充在器件槽内，以利用所填充的器件体形成所需的深槽器件。

3.根据权利要求2所述深槽器件背部集成的三维芯粒封装工艺，其特征是，对深槽器件内的深槽电容，所述深槽电容包括深槽叉指电容，其中，

器件槽包括用于形成所述深槽叉指电容的电容槽，器件体包括用于形成所述深槽叉指电容的叉指电容电极；

所述叉指电容电极包括相互交替分布的电容第一电极体以及电容第二电极体。

4.根据权利要求2所述深槽器件背部集成的三维芯粒封装工艺，其特征是，对深槽器件内的深槽电感，所述深槽电感呈螺旋状，其中，

器件槽包括用于形成深槽电感的电感槽，所述电感槽在主芯片内呈螺旋状；

器件体包括用于形成深槽电感的电感柱，在主芯片内，电感柱的形状与电感槽的形状相一致。

5.根据权利要求1至4任一项所述深槽器件背部集成的三维芯粒封装工艺，其特征是，对芯粒封装基体，进行深槽器件集成工艺时，先将所述芯粒封装基体与一支撑载板临时键合，其中，在临时键合后，芯粒封装基体内用于塑封芯粒组的塑封层与支撑载板对应接触连接；

在制备引出连接组件后，解除支撑载板与塑封层的键合连接，以形成所需的芯粒封装体。

6.根据权利要求5所述深槽器件背部集成的三维芯粒封装工艺，其特征是，所述引出连接组件包括制备于主芯片背面的背面金属层以及与所述背面金属层适配的焊球组，其中，

所述背面金属层包括背面第一焊盘以及背面第二焊盘，背面第一焊盘与主芯片内的片内连接柱对应连接，深槽器件通过背面第一焊盘以及与所述背面第一焊盘电连接的片内连接柱与主芯片、芯粒组内相应的芯粒适配电连接；

所述焊球组包括若干连接第一焊球以及若干连接第二焊球，连接第一焊球与背面第一焊盘对准接触电连接，连接第二焊球与背面第二焊盘对准接触电连接。

7.根据权利要求6所述深槽器件背部集成的三维芯粒封装工艺，其特征是，在主芯片内包括若干器件元件区，其中，

器件元件区与主芯片的正面正对应，芯粒组内的一芯粒与主芯片内相应的器件元件区适配电连接，深槽器件通过片内连接柱与主芯片内相应的器件元件区适配电连接，以使得芯粒与主芯片互联，且深槽器件与主芯片和/或相对应的芯粒适配电连接。

8.根据权利要求7所述深槽器件背部集成的三维芯粒封装工艺，其特征是，对芯粒封装基体，制备时，包括：

提供主芯片，并在所述主芯片的正面设置正面金属层；

提供芯粒组，所述芯粒组内的芯粒焊接键合在正面金属层上，以利用所焊接键合的正面金属层与主芯片内相应的器件元件区电连接；

进行塑封工艺，将芯粒组内的芯粒塑封在主芯片的正面，以形成芯粒封装基体。

9.根据权利要求6所述深槽器件背部集成的三维芯粒封装工艺，其特征是，在制备背面金属层时，先对主芯片的背面进行减薄，以使得主芯片内片内连接柱的端部从所述主芯片的背面露出；

减薄后，将所需的背面金属层制备于主芯片的背面。

10.一种深槽器件背部集成的三维芯粒封装结构，其特征是，利用上述权利要求1～权利要求9任一项的封装工艺制备得到。