[发明专利]一种微波混合电路一体化制造方法及装置

权利要求书

1.一种微波混合电路一体化制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：准备混合电路基板(1)；

S2：在所述混合电路基板(1)上覆盖第一金属钢网(2)，然后在所述第一金属钢网(2)上开设多个导电胶孔，在所述导电胶孔内涂覆导电胶(3)；

S3：移除所述第一金属钢网(2)后，在所述混合电路基板(1)上覆盖第二金属钢网(4)，然后在所述第二金属钢网(4)上开设多个第一焊膏开口，在所述第一焊膏开口内涂覆第一焊膏(5)；

S4：移除所述第二金属钢网(4)，在所述混合电路基板(1)上覆盖第三金属钢网(6)，然后在所述第三金属钢网(6)上开设多个第二焊膏开口，在所述第二焊膏开口内涂覆第二焊膏(7)；

S5：移除所述第三金属钢网(6)，在一所述导电胶(3)上贴装芯片(8)、在另一所述导电胶(3)上贴装载体(9)、在所述第一焊膏(5)上贴装封装器件(10)以及在所述第二焊膏(7)上贴装基板(11)，焊接电路后使用气相清洗方式清洗。

2.根据权利要求1所述的微波混合电路一体化制造方法，其特征在于，在步骤S1中，所述混合电路基板(1)为导电图形的有机介质板或者陶瓷基板。

3.根据权利要求1所述的微波混合电路一体化制造方法，其特征在于，在步骤S3中，在所述混合电路基板(1)上覆盖第二金属钢网(4)之前，所述方法包括：在所述第二金属钢网(4)上已经涂覆导电胶(3)的位置采用挖槽处理。

4.根据权利要求1所述的微波混合电路一体化制造方法，其特征在于，在步骤S4中，在所述混合电路基板(1)上覆盖第三金属钢网(6)之前，所述方法包括：在所述第三金属钢网(6)上已经涂覆导电胶(3)和第一焊膏(5)的位置采用挖槽处理。

5.根据权利要求4所述的微波混合电路一体化制造方法，其特征在于，在步骤S4中，所述第三钢网(6)的厚度为0.15mm，在所述第三金属钢网(6)上已经涂覆导电胶(3)开槽厚度为0.05mm，第一焊膏(5)的开槽厚度为0.1mm。

6.根据权利要求1所述的微波混合电路一体化制造方法，其特征在于，在步骤S5中，所述焊接方式为真空回流焊接或真空气相焊接。

7.根据权利要求1所述的微波混合电路一体化制造方法，其特征在于，在步骤S5中，所述焊接温度大于200°。

8.一种微波混合电路一体化装置，采用权利要求1-7任一项所述的微波混合电路一体化制造方法，其特征在于，包括基板(1)，所述基板(1)上涂覆有多个导电胶(3)、多个第一焊膏(5)和第二焊膏(7)，一所述导电胶(3)上贴装所述芯片(8)，另一所述导电胶(3)上贴装载体(9)，所述第一焊膏(5)上贴装封装器件(10)，所述第二焊膏(7)上贴装基板(11)。