[发明专利]半导体壳体和制造半导体壳体的方法

权利要求书

1.一种半导体壳体(100)，具有：

带有第一侧面(111)和相对的第二侧面(112)的封装件(110)，

至少一个功率半导体芯片(120)，带有沿所述第一侧面(111)延伸的漏极接触区(121)、沿所述第二侧面(112)延伸的源极接触区(122)、和布置在所述漏极接触区(121)与所述源极接触区(122)之间的第一内接触区(123)和第二内接触区(124)，

与所述漏极接触区(121)连接的第一外部接头(131)，所述第一外部接头在所述第一侧面(111)处居中布置并且被设计用于为所述至少一个功率半导体芯片(120)施加电源电压，

与所述源极接触区(122)连接的第二外部接头(132)，所述第二外部接头在所述第二侧面(112)处居中布置并且被设计用于为所述至少一个功率半导体芯片(120)施加参考电压，

第三外部接头(133)和第四外部接头(134)，所述第三外部接头和所述第四外部接头与所述第一内接触区(123)连接并且在所述第一侧面(111)和所述第二侧面(112)的第一端处彼此相对地布置，并且所述第三外部接头和所述第四外部接头被设计作为所述半导体壳体(100)的第一输出，以及

第五外部接头(135)和第六外部接头(136)，所述第五外部接头和所述第六外部接头与所述第二内接触区(124)连接并且在所述第一侧面(111)和所述第二侧面(112)的第二端处彼此相对地布置，并且所述第五外部接头和所述和第六外部接头被设计作为所述半导体壳体(100)的第二输出。

2.根据权利要求1所述的半导体壳体(100)，其中所述半导体壳体(100)具有单个功率半导体芯片(120)，

其中所述功率半导体芯片(120)具有第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，

其中所述第一晶体管与所述漏极接触区(121)和所述第一内接触区(123)连接，其中所述第二晶体管与所述源极接触区(122)和所述第一内接触区(123)连接，其中所述第三晶体管与所述漏极接触区(121)和所述第二内接触区(124)连接，其中所述第四晶体管与所述源极接触区(122)和所述第二内接触区(124)连接。

3.根据权利要求2所述的半导体壳体(100)，其中所述功率半导体管芯(120)还具有用于控制所述第一晶体管、所述第二晶体管、所述第三晶体管和所述第四晶体管的集成电路。

4.根据权利要求1所述的半导体壳体(300)，其中所述半导体壳体(300)具有第一功率半导体芯片(120_1)和第二功率半导体芯片(120_2)，

其中两个功率半导体芯片(120_1、120_2)都具有所述漏极接触区(121)和所述源极接触区(122)，并且

其中仅所述第一功率半导体芯片(120_1)具有所述第一内接触区(123)，并且仅所述第二功率半导体芯片(120_2)具有所述第二内接触区(124)。

5.根据权利要求4所述的半导体壳体(300)，其中所述第一功率半导体芯片(120_1)具有第一晶体管和第二晶体管，并且所述第二功率半导体芯片(120_2)具有第三晶体管和第四晶体管，

其中所述第一晶体管与所述漏极接触区(121)和所述第一内接触区(123)连接，

其中所述第二晶体管与所述源极接触区(122)和所述第一内接触区(124)连接，

其中所述第三晶体管与所述漏极接触区(121)和所述第二内接触区(124)连接，以及

其中所述第四晶体管与所述源极接触区(122)和所述第二内接触区(124)连接。

6.根据权利要求4或5所述的半导体壳体(300)，其中所述第一功率半导体芯片(120_1)还具有第一集成电路，并且所述第二功率半导体芯片(120_2)还具有第二集成电路。

7.根据前述权利要求中任一项所述的半导体壳体(100)，其中，相应的接触区(121-124)和外部接头(130)通过接合线或通过夹持件彼此连接。