[发明专利]半导体壳体和制造半导体壳体的方法

说明书

一种半导体壳体，包括：封装件，带有第一和第二侧面；至少一个功率半导体芯片，带有沿第一侧面延伸的漏极接触区、沿第二侧面延伸的源极接触区、漏极‑源极接触区之间的第一和第二内接触区；与漏极接触区连接的第一外部接头，在第一侧面处居中布置并设计用于为功率半导体芯片施加电源电压；与源极接触区连接的第二外部接头，在第二侧面处居中布置并设计用于为功率半导体芯片施加参考电压；第三和第四外部接头，与第一内接触区连接并在第一和第二侧面的第一端处彼此相对地布置，并设计为半导体壳体的第一输出；第五和第六外部接头，与第二内接触区连接并在第一和第二侧面的第二端处彼此相对地布置，并设计为半导体壳体的第二输出。

技术领域

本公开涉及一种半导体壳体和用于制造半导体壳体的方法。

背景技术

半导体壳体可以具有：至少一个功率半导体芯片，其具有多个接触部或接触区，例如漏极和源极接触区；以及与接触区连接的外部接头。功率半导体芯片上的接触区和彼此的外部接头的相对布置例如可以影响相应接触区与外部接头之间的电连接所具有的长度。这又可以帮助确定哪些寄生电阻和/或寄生电感是由半导体壳体中的电连接引起的，其中较长的电连接能够具有较大的寄生效应。然而，对于许多应用(可以提供半导体壳体例如作为电动机的驱动器)，这种寄生效应可能是有问题的，因此需要减少这种寄生效应。改进的半导体壳体和改进的制造半导体壳体的方法可以帮助解决这个问题和其他问题。

本发明的有利改进和发展在下文中详细说明。

发明内容

各个示例涉及一种半导体壳体，具有：带有第一侧面和相对的第二侧面的封装件；至少一个功率半导体芯片，带有沿第一侧面延伸的漏极接触区、沿第二侧面延伸的源极接触区、和布置在漏极和源极接触区之间的第一和第二内接触区；与漏极接触区连接的第一外部接头，其在第一侧面处居中布置并且被设计用于为至少一个功率半导体芯片施加电源电压；与源极接触区连接的第二外部接头，其在第二侧面处居中布置并且被设计用于为至少一个功率半导体芯片施加参考电压；第三和第四外部接头，其与第一内接触区连接并且在第一和第二侧面的第一端处彼此相对地布置，并且被设计作为所述半导体壳体的第一输出；以及第五和第六外部接头，其与第二内接触区连接并且在第一和第二侧面的第二端处彼此相对地布置，并且被设计作为所述半导体壳体的第二输出。

各个示例涉及一种半导体壳体，具有：封装件，带有第一侧面、与第一侧面相对的第二侧面、第三侧面、和与第三侧面相对的第四侧面；功率半导体芯片，带有沿第一侧面延伸的漏极接触区、沿第二横向延伸的源极接触区、以及布置在漏极和源极接触区之间的第一和第二内接触区；与漏极接触区连接的第一外部接头，其在第一侧面处居中布置并且被设计用于为功率半导体芯片施加电源电压；与源极接触区连接的第二外部接头，其在第二侧面处居中布置并且被设计用于为功率半导体芯片施加参考电压；与第一内接触区连接的第三外部接头，其在第三侧面处居中布置并且被设计作为半导体壳体的第一输出；以及与第二内接触区连接的第五外部接头，其在第四侧面处居中布置并且被设计作为半导体壳体的第二输出。

各个示例涉及一种用于制造半导体壳体的方法，该方法包括：提供带有第一侧面和相对的第二侧面的功率半导体芯片，其中该功率半导体芯片具有沿第一侧面延伸的漏极接触区、沿第二侧面延伸的源极接触区、以及布置在漏极和源极接触区之间的第一和第二内接触区；将漏极接触区与第一外部接头连接，该第一外部接头布置在第一侧面处并且被设计用于为功率半导体芯片施加电源电压；将源极接触区与第二外部接头连接，该第二外部接头布置在第二侧面处并且被设计用于为功率半导体芯片施加参考电压；将第一内接触区与第三和第四外部接头连接，第三和第四外部接头在第一和第二侧面处彼此相对布置并且被设计作为半导体壳体的第一输出；将第二内接触区与第五和第六外部接头连接，第五和第六外部接头在第一和第二侧面处彼此相对布置并且被设计作为半导体壳体的第二输出；以及将功率半导体芯片封装在封装件中，使得外部接头在封装件处被暴露。

附图说明

附图代表示例并且与描述一起用于解释本公开的原理。附图的元素不必相对于彼此按比例。相同的附图标记可以表示对应的、相似的或相同的部分。