[发明专利]发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，包括：

第一导电型半导体层；

台面，位于所述第一导电型半导体层上，并包括活性层及第二导电型半导体层；

透明的导电型氧化物层，布置于所述台面上，并与所述第二导电型半导体层电连接；

介电层，覆盖所述导电型氧化物层，且具有暴露所述导电型氧化物层的多个开口部；

金属反射层，布置在所述介电层上，并通过所述介电层的开口部与所述导电型氧化物层连接；

下部绝缘层，覆盖所述台面及所述金属反射层，并包括暴露所述第一导电型半导体层的至少一个第一开口部和暴露所述金属反射层的第二开口部；

第一垫金属层，布置在所述下部绝缘层上，并通过所述至少一个第一开口部与所述第一导电型半导体层电连接；

第二垫金属层，布置在所述下部绝缘层上，并通过所述第二开口部与所述金属反射层电连接；

上部绝缘层，覆盖所述第一垫金属层及所述第二垫金属层，并包括暴露所述第一垫金属层的第一开口部及暴露所述第二垫金属层的第二开口部；

第一凸起垫；

第二凸起垫，

其中，第一凸起垫及第二凸起垫分别通过所述上部绝缘层的第一开口部及第二开口部与所述第一垫金属层及所述第二垫金属层电连接，

所述介电层的开口部包括位于所述上部绝缘层的第一开口部下部的开口部，位于所述上部绝缘层的第一开口部的下部且与所述下部绝缘层的第一开口部相邻的开口部中，与所述下部绝缘层的所述第一开口部沿垂直方向相隔的开口部的相隔距离大于最靠近所述第一开口部的所述介电层的开口部的相隔距离。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其中，

所述介电层的厚度范围为200nm至1000nm。

3.如权利要求2所述的发光二极管，其中，

所述介电层的厚度范围为300nm至800nm。

4.如权利要求2所述的发光二极管，其中，

所述导电型氧化物层的厚度范围为3nm至50nm。

5.如权利要求1所述的发光二极管，其中，

所述介电层覆盖所述台面的侧面，并部分覆盖所述台面周围的第一导电型半导体层。

6.如权利要求5所述的发光二极管，其中，

所述下部绝缘层覆盖所述介电层的边缘。

7.如权利要求1所述的发光二极管，其中，

所述下部绝缘层的第一开口部沿着所述台面的周围使所述第一导电型半导体层暴露，

所述第一垫金属层具有沿着所述台面周围与所述第一导电型半导体层接触的外部接触部。

8.如权利要求7所述的发光二极管，其中，

所述台面包括暴露所述第一导电型半导体层的凹入部，

所述下部绝缘层的第一开口部还在所述凹入部内使所述第一导电型半导体层暴露，

所述第一垫金属层具有在所述凹入部内与所述第一导电型半导体层接触的内部接触部。

9.如权利要求8所述的发光二极管，其中，

所述内部接触部与所述外部接触部连接。

10.如权利要求1所述的发光二极管，其中，

所述台面具有贯通所述第二导电型半导体层及活性层而使所述第一导电型半导体层暴露的过孔，

所述下部绝缘层的第一开口部使从所述过孔暴露的第一导电型半导体层暴露，

所述第一垫金属层具有与从所述过孔暴露的第一导电型半导体层接触的内部接触部。