[发明专利]发光二极管

说明书

提供一种发光二极管。根据一实施例的发光二极管包括：第一导电型半导体层；台面，位于所述第一导电型半导体层上，并包括活性层及第二导电型半导体层；透明的导电型氧化物层，位于所述台面上，并与所述第二导电型半导体层电连接；介电层，覆盖所述导电型氧化物层，且具有暴露所述导电型氧化物层的多个开口部；金属反射层，布置在所述介电层上，并通过所述介电层的开口部与所述导电型氧化物层连接；下部绝缘层，覆盖所述台面及所述金属反射层，并包括暴露所述第一导电型半导体层的至少一个第一开口部和暴露所述金属反射层的第二开口部；第一垫金属层及第二垫金属层。

本申请是申请日为2018年12月10日、申请号为201880005632.3、发明名称为“芯片级封装发光二极管”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种发光二极管，尤其涉及一种芯片级封装形态的发光二极管。

背景技术

通常，氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)等III族元素的氮化物的热稳定性优秀，并且具有直接跃迁型能带(band)结构，因此最近作为可视光线及紫外线领域的光源用物质而备受瞩目。尤其，利用氮化铟镓(InGaN)的蓝色及绿色发光二极管被应用于大规模自然色平板显示装置、信号灯、室内照明、高密度光源、高分辨率输出系统及光通信等多种应用领域。

最近，针对发光二极管中的在芯片级进行封装工序的芯片级封装形态的发光二极管的研究正在进行。这种发光二极管的大小比普通封装件小，并且不需要进行其他封装工序，因此可以进一步简化工序而可以节省时间及成本。

芯片级封装形态的发光二极管大致具有倒装芯片形状的电极结构，并且为了向基板侧发出光而使用欧姆反射层。通过使用倒装芯片形状的电极结构，可以提供发光效率及散热特性优秀的发光二极管。但是，这种发光二极管在倒键合时由于使用的焊料的扩散而使欧姆反射层被污染，从而可能导致发光二极管的不良。

因此，需要简化发光二极管的结构的同时提供可靠的发光二极管的努力。

并且，由于芯片级封装形态的发光二极管无法内置用于电过载或静电放电的单独的保护元件，因此需要对此的强抗性。

发明内容

技术问题

本发明所要解决的课题是提供一种有效地防止焊料等键合材料的扩散而能够提高可靠性的发光二极管。

本发明所要解决的又一课题是提供一种具有高反射率的反射结构的芯片级封装的发光二极管。

本发明所要解决的又一课题是提供一种对于电过载(electrical overstress)或静电放电(electrostatic discharge)具有抗性的芯片级封装的发光二极管。

技术方案

根据本发明的一实施例的一种发光二极管包括：第一导电型半导体层；台面，位于所述第一导电型半导体层上，并包括活性层及第二导电型半导体层；透明的导电型氧化物层，布置在所述台面上，并与所述第二导电型半导体层电连接；介电层，覆盖所述导电型氧化物层，并具有使所述导电型氧化物层暴露的多个开口部；金属反射层，布置在所述介电层上，并通过所述介电层的开口部与所述导电型氧化物层连接；下部绝缘层，覆盖所述台面及所述金属反射层，并包括使所述第一导电型半导体层暴露的至少一个第一开口部及使所述金属反射层暴露的第二开口部；第一垫金属层，布置在所述下部绝缘层上，并通过所述至少一个第一开口部电连接于所述第一导电型半导体层；第二垫金属层，布置在所述下部绝缘层上，并通过所述第二开口部与所述金属反射层电连接；上部绝缘层，覆盖所述第一垫金属层及所述第二垫金属层，并具有使所述第一垫金属层暴露的第一开口部及使所述第二垫金属层暴露的第二开口部，所述介电层的开口部包括与所述下部绝缘层的第一开口部中的至少一个相邻的宽度较窄且长的条(bar)形状的开口部。