[发明专利]改善电极包覆性的发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管制备方法，其特征在于，所述发光二极管制备方法包括：

提供一外延片，所述外延片的表面具有待蒸镀区域；

在所述外延片的表面形成复合胶层，所述复合胶层具有露出所述待蒸镀区域的开口，所述复合胶层包括依次层叠的负性光刻胶层和正性光刻胶层；

在所述开口中蒸镀形成电极。

2.根据权利要求1所述的发光二极管制备方法，其特征在于，所述在所述外延片的表面形成复合胶层包括：

在所述外延片的表面涂覆一层负性光刻胶层，对所述负性光刻胶曝光；

在所述负性光刻胶的表面涂覆一层正性光刻胶层，对所述正性光刻胶曝光；

对所述负性光刻胶层和所述正性光刻胶层显影，去除所述负性光刻胶层和所述正性光刻胶层上与所述待蒸镀区域相对的区域，得到所述复合胶层。

3.根据权利要求2所述的发光二极管制备方法，其特征在于，所述正性光刻胶层的厚度小于所述负性光刻胶的厚度。

4.根据权利要求2所述的发光二极管制备方法，其特征在于，所述在所述外延片的表面涂覆一层负性光刻胶层包括：

基于要形成的所述电极的厚度，在所述外延片的表面涂覆负性光刻胶层，所述负性光刻胶层的厚度不小于所述电极的厚度。

5.根据权利要求2所述的发光二极管制备方法，其特征在于，对所述负性光刻胶层显影后，得到的所述负性光刻胶层的第一表面的面积小于第二表面的面积，所述第一表面和所述第二表面为所述负性光刻胶层相对的两个表面，且所述第一表面靠近所述外延片。

6.根据权利要求5所述的发光二极管制备方法，其特征在于，对所述正性光刻胶层显影后，得到的所述正性光刻胶层的第三表面的面积大于第四表面的面积，所述第三表面和所述第四表面为所述正性光刻胶层相对的两个表面，且所述第三表面与所述第二表面重合。

7.根据权利要求1至6任一项所述的发光二极管制备方法，其特征在于，所述在所述开口中蒸镀形成电极包括：

通过所述开口依次蒸镀的Cr膜、Al膜、Ti膜、Pt膜和Au膜，形成所述电极。

8.根据权利要求1至6任一项所述的发光二极管制备方法，其特征在于，所述在所述开口中蒸镀形成电极包括：

通过所述开口依次蒸镀的Cr膜、Al膜、Ti膜、Ni膜、Pt膜和Au膜，形成所述电极。

9.根据权利要求1至6任一项所述的发光二极管制备方法，其特征在于，制作所述外延片包括：

提供一衬底；

在所述衬底的表面形成外延层，所述外延层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；

在所述第二半导体层的表面形成依次层叠的电流阻挡层和透明导电层。

10.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管采用如权利要求1至9任一项所述的发光二极管制备方法制备。