[发明专利]改善电极包覆性的发光二极管及其制备方法

说明书

本公开提供了一种改善电极包覆性的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管制备方法包括：提供一外延片，所述外延片的表面具有待蒸镀区域；在所述外延片的表面形成复合胶层，所述复合胶层具有露出所述待蒸镀区域的开口，所述复合胶层包括依次层叠的负性光刻胶层和正性光刻胶层；在所述开口中蒸镀形成电极。本公开能改善电极对电流阻挡层和透明导电层的包覆性。

技术领域

本公开涉及光电子制造技术领域，特别涉及一种改善电极包覆性的发光二极管及其制备方法。

背景技术

发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)作为光电子产业中极具影响力的新产品，具有体积小、使用寿命长、颜色丰富多彩、能耗低等特点，广泛应用于照明、显示屏、信号灯、背光源、玩具等领域。

相关技术中，在制备发光二极管时，通常先在衬底上生长外延层；然后在外延层的部分表面上形成依次层叠的电流阻挡层和透明导电层；最后，在透明导电层上蒸镀形成电极，且电极延伸至外延层的表面。

在蒸镀电极前，需要在外延层上制作掩膜，掩膜具有露出透明导电层的开口，若开口尺寸过小，在蒸镀过程中形成的金属不容易覆盖在前一层蒸镀的金属表面上，进而导致电极的包覆性变差。

发明内容

本公开实施例提供了一种改善电极包覆性的发光二极管及其制备方法，能改善电极对电流阻挡层和透明导电层的包覆性。所述技术方案如下：

本公开实施例提供了一种发光二极管制备方法，所述发光二极管制备方法包括：提供一外延片，所述外延片的表面具有待蒸镀区域；在所述外延片的表面形成复合胶层，所述复合胶层具有露出所述待蒸镀区域的开口，所述复合胶层包括依次层叠的负性光刻胶层和正性光刻胶层；在所述开口中蒸镀形成电极。

在本公开实施例的一种实现方式中，所述在所述外延片的表面形成复合胶层包括：在所述外延片的表面涂覆一层负性光刻胶层，对所述负性光刻胶曝光；在所述负性光刻胶的表面涂覆一层正性光刻胶层，对所述正性光刻胶曝光；对所述负性光刻胶层和所述正性光刻胶层显影，去除所述负性光刻胶层和所述正性光刻胶层上与所述待蒸镀区域相对的区域，得到所述复合胶层。

在本公开实施例的另一种实现方式中，所述正性光刻胶层的厚度小于所述负性光刻胶的厚度。

在本公开实施例的另一种实现方式中，所述在所述外延片的表面涂覆一层负性光刻胶层包括：基于要形成的所述电极的厚度，在所述外延片的表面涂覆负性光刻胶层，所述负性光刻胶层的厚度不小于所述电极的厚度。

在本公开实施例的另一种实现方式中，对所述负性光刻胶层显影后，得到的所述负性光刻胶层的第一表面的面积小于第二表面的面积，所述第一表面和所述第二表面为所述负性光刻胶层相对的两个表面，且所述第一表面靠近所述外延片。

在本公开实施例的另一种实现方式中，对所述正性光刻胶层显影后，得到的所述正性光刻胶层的第三表面的面积大于第四表面的面积，所述第三表面和所述第四表面为所述正性光刻胶层相对的两个表面，且所述第三表面与所述第二表面重合。

在本公开实施例的另一种实现方式中，所述在所述开口中蒸镀形成电极包括：通过所述开口依次蒸镀的Cr膜、Al膜、Ti膜、Pt膜和Au膜，形成所述电极。

在本公开实施例的另一种实现方式中，所述在所述开口中蒸镀形成电极包括：通过所述开口依次蒸镀的Cr膜、Al膜、Ti膜、Ni膜、Pt膜和Au膜，形成所述电极。

在本公开实施例的另一种实现方式中，制作所述外延片包括：提供一衬底；在所述衬底的表面形成外延层，所述外延层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；在所述第二半导体层的表面形成依次层叠的电流阻挡层和透明导电层。

本公开实施例提供了一种发光二极管，所述发光二极管采用如前文所述的发光二极管制备方法制备。