[发明专利]复合膜及其制备方法、集流体、极片和电池

权利要求书

1.一种复合膜，其特征在于，所述复合膜包括AlSiMO膜层，其中，M包括Cr、Zr、Ti中的一种或多种；

Al的摩尔含量为30％-70％；

Si的摩尔含量为4％-15％；

M的摩尔含量为1％-10％；

O的摩尔含量为25％-45％。

2.如权利要求1所述的复合膜，其特征在于，所述复合膜还包括高分子膜层，所述AlSiMO膜层设于所述高分子膜层表面。

3.如权利要求2所述的复合膜，其特征在于，所述复合膜还包括金属膜层，所述金属膜层设于所述AlSiMO膜层背离所述高分子膜层的一侧。

4.如权利要求3所述的复合膜，其特征在于，所述AlSiMO膜层的厚度为5nm-100nm；

和/或，所述高分子膜层的厚度为3um-100um；

和/或，所述金属膜层的厚度为0.5um-3um。

5.如权利要求2至4中任一项所述的复合膜，其特征在于，所述高分子膜层的材质包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯或聚萘二甲酸乙二醇酯中的一种或多种的复合。

6.如权利要求5所述的复合膜，其特征在于，所述金属膜层的材质包括金属铝、镍或铜。

7.一种复合膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将高分子膜放入真空炉内抽真空；

打开磁控溅射靶，选用AlSiM合金靶材，通入Ar气和O₂的混合气，在所述高分子膜表面沉积形成AlSiMO膜层。

8.如权利要求7所述的复合膜的制备方法，其特征在于，在将高分子膜放入真空炉内抽真空的步骤之后，还包括以下步骤：

打开离子源，对所述高分子膜表面进行清洗活化。

9.如权利要求7或8所述的复合膜的制备方法，其特征在于，按重量份，所述AlSiM合金靶材的比例为Al 60wt％-90wt％，Si 8wt％-25wt％，M 2wt％-15wt％。

10.如权利要求7或8所述的复合膜的制备方法，其特征在于，在所述高分子膜表面沉积形成AlSiMO膜层后，还包括在所述AlSiMO膜层表面沉积金属膜层。

11.如权利要求7或8中任一项所述的复合膜的制备方法，其特征在于，在将高分子膜放入真空炉内抽真空的步骤中，所述真空炉的本底真空度为大于等于1.0×10^-2Pa；

和/或，所述Ar气和O₂的比例为(2:1)-(1:2)；

和/或，所述O₂的通入量为100ml/min-500ml/min；

和/或，所述磁控溅射靶包括高功率脉冲磁控溅射靶、直流磁控溅射靶、中频磁控溅射靶或射频磁控溅射靶；

和/或，所述磁控溅射靶的靶功率为10KW-100KW。

12.如权利要求8所述的复合膜的制备方法，其特征在于，所述离子源的离子为惰性气体型离子；

和/或，所述离子源的功率为1KW-10KW。

13.一种集流体，其特征在于，所述集流体包括权利要求3至6中任一项所述的复合膜，所述复合膜包括高分子膜，所述高分子膜的相对两面均设有所述AlSiMO膜层，每一所述AlSiMO膜层于背离所述高分子膜的一侧设有金属膜层。

14.一种极片，其特征在于，所述极片包括依次层叠设置的集流体和活性物质材料层，其中，所述集流体为如权利要求13所述的复合膜。

15.一种电池，其特征在于，包括：阴极极片、阳极极片、隔离膜及电解液，其中所述阴极极片和/或阳极极片为如权利要求14所述的极片。