[发明专利]封装结构及其封装方法在审

专利信息
申请号: 202211245685.7 申请日: 2022-10-12
公开(公告)号: CN115458512A 公开(公告)日: 2022-12-09
发明(设计)人: 岳茜峰;柳家乐;郑雨婷;徐杰;刘亚运 申请(专利权)人: 长电科技(滁州)有限公司
主分类号: H01L25/04 分类号: H01L25/04;H01L31/02;H01L31/0203
代理公司: 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 代理人: 沈晓敏
地址: 239064 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 封装 结构 及其 方法
【说明书】:

发明提供一种封装结构和封装方法,封装结构包括:封装基座,所述封装基座包括第一互连结构;弹性支撑件,所述弹性支撑件盖设于所述封装基座的一侧,所述弹性支撑件包括若干贯孔,所述第一互连结构自所述若干贯孔中露出;感光芯片,所述感光芯片设置于所述弹性支撑件远离所述封装基座一侧,所述感光芯片经所述若干贯孔和所述第一互连结构电性连接;以及外部塑封层,所述外部塑封层塑封所述感光芯片和所述弹性支撑件至所述封装基座上,所述外部塑封层包括镂空区,所述感光芯片的感光区自所述镂空区中露出。利用弹性支撑件对感光芯片的弹性支撑用于分散注塑封装感光芯片工艺中施加在感光芯片上的外力,克服压伤问题。

技术领域

本发明属于半导体封装技术领域,特别关于一种封装结构及其封装方法。

背景技术

光感芯片是一种能够感受外部光线并能将其转化为电信号的电子器件。以CMOS(CMOS Image Sensor,CIS)芯片为例,其广泛应用于智能手机、安防、汽车自动驾驶等拍照录像系统中。CIS芯片通常采用半导体制造工艺进行芯片制作,再通过对CIS芯片进行一系列封装工艺形成封装结构。

然而,现有的CIS芯片在加工生产过程中大多采用注塑封装的方式对CIS芯片进行封装,采用这一封装方式进行封装的CIS芯片,由于塑封模具的顶杆和芯片直接接触,顶杆容易导致其玻璃片受压碎裂,塑封料溢料,进而造成芯片良率低以及封装成本高的缺点,因此,对CIS芯片进行封装的效果较差。

另外,现有的CIS芯片的封装结构体积较大,不符合电子设备的轻薄化设计的趋势。

有鉴于此,提供需要对上述封装工艺进行优化和改进,克服现有的注塑封装导致的易破片、良率低和封装效果差的问题。

发明内容

本发明解决的问题是如何改善现有注塑封装过程中的感光芯片易破片、塑封料溢料导致的封装良率低和封装体效果差的问题,同时,满足感光芯片小体积封装的趋势。

为解决上述问题,本发明技术方案提供了一种封装结构,所述封装结构包括:封装基座,所述封装基座包括第一互连结构;弹性支撑件,所述弹性支撑件盖设于所述封装基座的一侧,所述弹性支撑件包括若干贯孔,所述第一互连结构自所述若干贯孔中露出;感光芯片,所述感光芯片贴装于所述弹性支撑件远离所述封装基座一侧,所述感光芯片经所述若干贯孔和所述第一互连结构电性连接;以及外部塑封层,所述外部塑封层塑封所述感光芯片和所述弹性支撑件至所述封装基座上,所述外部塑封层包括镂空区,所述感光芯片的感光区自所述镂空区中露出。

作为可选的技术方案,所述封装基座包括:基板;有源芯片,所述有源芯片设置于所述基板一侧表面上且与所述基板电性连接;转接层,所述转接层设置于所述第一互连结构和所述有源芯片之间,所述转接层包括若干导通柱,每一导通柱相对的两端分别电性连接所述第一互连结构和所述有源芯片。

作为可选的技术方案,所述第一互连结构为再布线层,所述再布线层包括若干第一连接垫,所述若干第一连接垫和所述若干贯孔一一对应。

作为可选的技术方案,所述封装基座还包括内部塑封层,所述内部塑封层塑封所述有源芯片和所述转接层至所述基板上;其中,所述再布线层设置于所述内部塑封层上,所述再布线层上的若干第二连接垫和每一导通柱自所述内部塑封层中露出的一端电性连接,所述若干第二连接垫和所述若干第一连接垫位于所述再布线层相背的两侧表面上。

作为可选的技术方案,所述封装基座还包括中间塑封层,所述中间塑封层塑封所述再布线层和所述内部塑封层至所述基板上;其中,所述若干第一连接垫自所述中间塑封层远离所述基板的一侧露出。

作为可选的技术方案,所述弹性支撑件设置于所述中间塑封层上方,且所述弹性支撑件至少部分区域不与所述中间塑封层直接接触。

作为可选的技术方案,所述弹性支撑件包括朝向所述基板伸出的侧壁,所述侧壁位于所述中间塑封层的外部,所述侧壁的边缘与所述基板固定连接。

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