[发明专利]一种集成TMBS的集成电路芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种集成TMBS的集成电路芯片，包括位于芯片中心区的有源区(100)、包围所述有源区(100)的终端区(102)及位于有源区(100)和终端区(102)之间的过渡区(101)，其特征在于：所述过渡区(101)包括围绕所述有源区(100)设置的多个沟槽型肖特基二极管，所述沟槽型肖特基二极管包括肖特基沟槽(20)，所述肖特基沟槽(20)内设有沟槽多晶硅(23)及包围所述沟槽多晶硅(23)的氧化层(21)，所述肖特基沟槽(20)设置在N型外延层(2)内，在肖特基沟槽(20)上设有肖特基接触层(22)，所述肖特基接触层(22)的宽度大于肖特基沟槽(20)的宽度，在所述肖特基接触层(22)上设有源极金属层(10)，所述N型外延层(2)下邻接N型衬底(1)，所述N型衬底(1)下设有欧姆接触的漏极金属层(11)。

2.根据权利要求1所述的一种集成TMBS的集成电路芯片，其特征在于：所述肖特基接触层(22)包括钛层、氮化钛层及邻接氮化钛层上的钨金属层。

3.根据权利要求1所述的一种集成TMBS的集成电路芯片，其特征在于：终端区(102)包括分压保护区和截止区，所述截止区位于终端区(102)的外圈，所述分压保护区位于过渡区(101)与截止区之间；所述分压保护区内包括场限环(3)，所述场限环(3)位于所述N型外延层(2)内；所述场限环(3)上方覆盖有场氧化层(4)，所述场氧化层(4)上方设有浮空导电多晶硅(6)，所述浮空导电多晶硅(6)至少为一条，所述浮空导电多晶硅(6)上方设有浮空金属(9)和栅极金属层(8)，所述浮空导电多晶硅(6)和浮空金属(9)间通过绝缘介质层(7)隔开；所述截止区包括位于所述N型外延层(2)内的P型截止阱区(14)、及位于所述P型截止阱区(14)内的N型截止源区(15)，所述N型截止源区(15)上方设有截止环金属(12)、截止导电多晶硅(13)，所述截止环金属(12)穿过绝缘介质层(7)分别与所述N型截止源区(15)、截止导电多晶硅(13)欧姆接触。

4.根据权利要求3所述的一种集成TMBS的集成电路芯片，其特征在于：栅极金属层(8)包括从上到下依次排列的第一层第一导电类型层(81)、第二层第二导电类型层(82)、第三层第三导电类型层(83)和第四层第四导电类型层(84)，所述的第一层第一导电类型层(81)、第二层第二导电类型层(82)、第三层第三导电类型层(83)和第四层第四导电类型层(84)均为P型半导体层或N型半导体层；P型半导体层或N型半导体层相邻设置组成PN结。

5.根据权利要求3所述的一种集成TMBS的集成电路芯片，其特征在于：有源区(100)包括若干个相互并联排布的元胞单元，所述元胞单元包括位于所述N型外延层2内的P型阱区(16)、位于所述P型阱区(16)内的N型源区(17)、覆盖在所述N型外延层(2)上的栅氧化层(18)、覆盖在所述栅氧化层(18)上的栅极导电多晶硅(19)、覆盖在所述栅极导电多晶硅(19)上的绝缘介质层(7)，覆盖在所述绝缘介质层(7)上的源极金属层(10)，所述源极金属层(10)穿过绝缘介质层(7)分别与P型阱区(16)、N型源区(17)欧姆接触。