[发明专利]直下式次毫米发光二极管背光模块及其制造方法在审
| 申请号： | 202211253151.9 | 申请日： | 2022-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN115469483A | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 成元纲 | 申请（专利权）人： | 业成科技（成都）有限公司;业成光电（深圳）有限公司;英特盛科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/13357 | 分类号： | G02F1/13357;H01L33/52;H05K1/02 |
| 代理公司： | 成都希盛知识产权代理有限公司 51226 | 代理人： | 芶雅灵 |
| 地址： | 611730 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 直下式次 毫米 发光二极管 背光 模块 及其 制造 方法 | ||
1.一种直下式次毫米发光二极管背光模块，其特征在于，包括：
印刷电路板，所述印刷电路板的表面周围定义边缘区域；
复数次毫米发光二极管单元，该些次毫米发光二极管单元矩阵排列于所述印刷电路板的表面上且涵盖所述边缘区域；
复数雷射网点，所述雷射网点分布于所述边缘区域的每一该次毫米发光二极管单元中；以及
封装层，所述封装层覆盖该些次毫米发光二极管单元且填平所述雷射网点。
2.如权利要求1所述的直下式次毫米发光二极管背光模块，其特征在于：所述雷射网点的点径介于30至50微米。
3.如权利要求1所述的直下式次毫米发光二极管背光模块，其特征在于：所述雷射网点的深度介于5至10微米。
4.如权利要求1所述的直下式次毫米发光二极管背光模块，其特征在于：所述雷射网点随机分布于所述边缘区域的每一次毫米发光二极管单元中。
5.如权利要求1所述的直下式次毫米发光二极管背光模块，其特征在于：分布于所述边缘区域的每一次毫米发光二极管单元中的所述雷射网点的数量为500至1000个。
6.如权利要求1所述的直下式次毫米发光二极管背光模块，其特征在于：该些次毫米发光二极管单元分别包括复数次毫米发光二极管，且于该些次毫米发光二极管的外侧设有挡墙。
7.如权利要求1所述的直下式次毫米发光二极管背光模块，其特征在于：所述印刷电路板的表面包括阻焊层，该些次毫米发光二极管单元和所述雷射网点设置于所述阻焊层上。
8.一种直下式次毫米发光二极管背光模块的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：
提供印刷电路板，所述印刷电路板的表面周围定义边缘区域；
形成矩阵排列的复数次毫米发光二极管单元于所述印刷电路板的表面上，并使该些次毫米发光二极管单元涵盖所述边缘区域；
形成复数雷射网点于所述边缘区域的每一次毫米发光二极管单元中；以及
形成封装层覆盖于该些次毫米发光二极管单元且填平所述雷射网点。
9.如权利要求8所述的直下式次毫米发光二极管背光模块的制造方法，其特征在于：所述雷射网点的点径介于30至50微米。
10.如权利要求8所述的直下式次毫米发光二极管背光模块的制造方法，其特征在于：所述雷射网点的深度介于5至10微米。
11.如权利要求8所述的直下式次毫米发光二极管背光模块的制造方法，其特征在于：所述雷射网点系随机分布于所述边缘区域的每一次毫米发光二极管单元中。
12.如权利要求8所述的直下式次毫米发光二极管背光模块的制造方法，其特征在于：分布于所述边缘区域的每一次毫米发光二极管单元中的所述雷射网点的数量为500至1000个。
13.如权利要求8所述的直下式次毫米发光二极管背光模块的制造方法，其特征在于：该些次毫米发光二极管单元分别包括复数次毫米发光二极管，且于该些次毫米发光二极管的外侧设有挡墙。
14.如权利要求8所述的直下式次毫米发光二极管背光模块的制造方法，其特征在于：所述印刷电路板的表面包括阻焊层，该些次毫米发光二极管单元和所述雷射网点设置于所述阻焊层上。
15.如权利要求8所述的直下式次毫米发光二极管背光模块的制造方法，其特征在于：形成所述雷射网点的步骤系使用二氧化碳雷射加工来进行。
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