[发明专利]直下式次毫米发光二极管背光模块及其制造方法

说明书

一种直下式次毫米发光二极管背光模块及其制造方法，其中直下式次毫米发光二极管背光模块包括印刷电路板、复数次毫米发光二极管单元、复数雷射网点及封装层。印刷电路板的表面周围定义边缘区域，次毫米发光二极管单元矩阵排列于印刷电路板的表面上且涵盖边缘区域，雷射网点分布于边缘区域的每一毫米发光二极管单元中，而封装层覆盖次毫米发光二极管单元且填平雷射网点。本发明利用雷射网点来增加边缘出光效率，再辅以区域调光技术，将可望大幅改善边缘辉度的均匀性。

技术领域

本发明有关于一种背光模块及其制造方法，特别是指一种直下式次毫米发光二极管背光模块及其制造方法。

背景技术

由于液晶显示器本身非自发光，需要背光模块提供足够亮度的光源才能显示画面。随着半导体制程的发展，发光二极管(LED)的尺寸也随之缩小到数百个微米等级，也就是所谓的次毫米发光二极管(Mini LED)。使用次毫米发光二极管当作背光光源，由于尺寸小，其混光距离相较于传统的发光二极管来说小很多，可采用直下式背光技术，将数千颗、数万颗，甚至更多的次毫米发光二极管作成矩阵数组布满液晶显示器底部，以获得更好的亮度和亮度均匀性。此外，次毫米发光二极管的矩阵数组可被划分成多个局部调光区，以实现区域调光(Local Dimming Zones)技术，其根据液晶显示器的显示内容不同，每一调光区可以精确调节亮度，进而实现液晶显示器的高对比度。

然而，直下式次毫米发光二极管背光模块的出光因受边际效应影响，其四周的边缘辉度较中心位置为低，进而影响整体画面均匀性。进一步说明，直下式次毫米发光二极管背光模块中任一位置所接收到的光源皆来自四周次毫米发光二极管的光强度迭加，但如图1所示，直下式次毫米发光二极管背光模块的边缘区域所接收到的光强度，只有来自于单侧(图中右侧)次毫米发光二极管1的光强度迭加，而其左侧是电子组件2和金属外框3，并不存在次毫米发光二极管1。因此，由于只接收到单侧之次毫米发光二极管1的光强度，所以背光模块边缘区域的辉度较低，即所谓「边际效应」。尽管直下式次毫米发光二极管背光模块可透过直流(DC)区域调光方式调整四周边缘的次毫米发光二极管之亮度，来提升边缘画面均匀性，但是经由直流区域调光方式调变后往往会发现暗带仍可视，而影响显示效果。

因此，目前的产业界迫切地需要寻求一种可以改善背光模块边缘所出现之暗带缺陷的直下式次毫米发光二极管背光模块及其制造方法，以使得上述习知技术中所遭遇的各种困难和缺失得以被解决。

发明内容

有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种直下式次毫米发光二极管背光模块及其制造方法，藉由雷射网点的形成，能够有效增加边缘出光效率，可进一步应用区域调光技术，可望大幅改善边缘辉度的均匀性，从而能够有效消除背光模块边缘所出现的暗带缺陷。

为达上述目的，本发明提供一种直下式次毫米发光二极管背光模块，其包括有印刷电路板、复数次毫米发光二极管单元、复数雷射网点及封装层。其中，印刷电路板的表面周围定义边缘区域。次毫米发光二极管单元矩阵排列于印刷电路板的表面上且涵盖边缘区域。雷射网点分布于边缘区域的每一毫米发光二极管单元中。封装层覆盖次毫米发光二极管单元且填平雷射网点。

根据本发明的实施例，上述的雷射网点的点径介于30至50微米。

根据本发明的实施例，上述的雷射网点的深度介于5至10微米。

根据本发明的实施例，上述的雷射网点是随机分布于边缘区域的每一次毫米发光二极管单元中。

根据本发明的实施例，上述分布于边缘区域的每一次毫米发光二极管单元中的雷射网点的数量为500至1000个。

根据本发明的实施例，上述的次毫米发光二极管单元分别包括复数次毫米发光二极管，且于次毫米发光二极管的外侧设有挡墙。

根据本发明的实施例，上述的印刷电路板的表面包括阻焊层，次毫米发光二极管单元和雷射网点设置于阻焊层上。