[发明专利]一种近场电场定量测量方法及装置、电子设备和存储介质在审
申请号: | 202211254462.7 | 申请日: | 2022-10-13 |
公开(公告)号: | CN115575729A | 公开(公告)日: | 2023-01-06 |
发明(设计)人: | 张政军;樊易航;王炜鹏 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G01R29/12 | 分类号: | G01R29/12 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 近场 电场 定量 测量方法 装置 电子设备 存储 介质 | ||
本公开涉及一种近场电场定量测量方法及装置、电子设备和存储介质。所述方法,包括:获取第一入射电场和第一近场电场之间的第一线性关系;获取扫描近场光学显微镜的仪器常数;根据仪器常数和第一线性关系,得到待测样品上任一待测点的第一线性系数;根据入射到待测样品的实际入射电场和所述待测点的第一线性系数,得到所述实际入射电场下所述待测点的重构近场电场,作为所述待测点的近场电场定量测量结果。该过程将体现待测样品第一测量区域的入射电场和近场电场关系的第一线性关系,与体现针尖‑样品耦合对待测样品表面的近场电场的影响的仪器常数结合,实现了待测样品表面的近场电场的重构,提高了待测样品表面的近场电场的定量测量的准确度。
技术领域
本公开涉及电场测量技术领域,尤其涉及一种近场电场定量测量方法及装置、电子设备和存储介质。
背景技术
扫描近场光学显微镜(scanning near-field optical microscope,SNOM),是近年来逐渐成熟的纳米材料表征技术,当一束光照射到材料表面,材料表面的电子或其他载流子会产生相应的响应,并在样品表面百纳米高度内产生近场的电场分布,SNOM通过将AFM针尖引入近场区域,针尖受到近场电场的作用产生极化,并通过辐射将信号导入至探测器,从而测量得到近场区域的电场。
但是,极化之后的针尖也会反过来影响样品表面的电荷分布,而这种影响对于针尖的作用可以近似地看成样品内部有一个“镜像偶极”。由于每次扫描可能都处在不同的扫描条件下,并且针尖-样品耦合(即样品近场电场和“镜像偶极”的相互影响)的具体数值也是不清楚的。因此,针尖-样品的耦合作用,使得如何在不同的扫描条件下通过针尖尖端极化强度来测量样品表面的近场电场产生了困难,进而会导致样品表面的近场电场无法定量测量。
发明内容
有鉴于此,本公开提出了一种近场电场定量测量技术方案。
根据本公开的一方面,提供了一种近场电场定量测量方法,包括:获取第一入射电场和第一近场电场之间的第一线性关系,所述第一近场电场由待测样品的第一测量区域基于所述第一入射电场产生;获取扫描近场光学显微镜的仪器常数,所述仪器常数用于指示扫描近场光学显微镜对具备同一介电常数的待测样品的近场电场的实测值和模拟值之间的差异;根据所述仪器常数和所述第一线性关系,得到待测样品上任一待测点的第一线性系数,所述第一线性系数用于指示第二入射电场和第二近场电场之间的倍数关系,所述第二近场电场由所述待测点基于所述第二入射电场产生;根据入射到待测样品的实际入射电场和所述待测点的第一线性系数,得到所述实际入射电场下所述待测点的重构近场电场,作为所述待测点的近场电场定量测量结果。
在一种可能的实现方式中,所述获取扫描近场光学显微镜的仪器常数,包括:获取第三入射电场和第三近场电场之间的第二线性关系,所述第三近场电场由标准样品的第二测量区域基于所述第三入射电场产生;获取模拟入射电场和第四近场电场之间的第三线性关系,所述第四近场电场由所述第二测量区域基于模拟入射电场的模拟产生;根据所述第二线性关系和所述第三线性关系,得到所述仪器常数。
在一种可能的实现方式中,所述获取第一入射电场和第一近场电场之间的第一线性关系,包括:获取所述第一测量区域基于至少两个所述第一入射电场分别产生的所述第一近场电场;根据所述第一入射电场和所述第一近场电场,确定所述第一线性关系;所述获取第三入射电场和第三近场电场之间的第二线性关系,包括:获取所述第二测量区域基于至少两个所述第三入射电场分别产生的所述第三近场电场;根据所述第三入射电场和所述第三近场电场,确定所述第二线性关系。
在一种可能的实现方式中,所述根据所述仪器常数和所述第一线性关系,得到待测样品上任一待测点的第一线性系数,包括:获取所述待测点基于所述第二入射电场产生的所述第二近场电场;根据所述第二入射电场、所述第二近场电场、所述仪器常数和所述第一线性关系,得到所述第一线性系数。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学,未经清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211254462.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。