[发明专利]背结太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 202211255866.8 | 申请日： | 2022-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN115642202A | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 请求不公布姓名;请求不公布姓名;王治业 | 申请（专利权）人： | 三一硅能（株洲）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0352;H01L31/068 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 白冬梅 |
| 地址： | 412000 湖南省株洲市石峰区铜塘*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种背结太阳能电池制备方法，其特征在于，包括：
将硅片第一面的第一钝化层局部去除裸露出所述硅片；
向所述硅片的裸露区域提供带有电子的掺杂源并进行光照，形成重掺杂区域；
在所述重掺杂区域进行金属化，形成第一金属栅线。
2.根据权利要求1所述的背结太阳能电池制备方法，其特征在于，所述向所述硅片的裸露区域提供带有电子的掺杂源，包括：
将带所述掺杂源的溶胶经过电子产生装置处理，并利用喷头将所述溶胶喷向所述硅片的裸露区域。
3.根据权利要求1所述的背结太阳能电池制备方法，其特征在于，所述进行光照时的太阳辐照度至少为10×1千瓦/平方米。
4.根据权利要求1至3任一项所述的背结太阳能电池制备方法，其特征在于，所述将硅片第一面的第一钝化层局部去除裸露出所述硅片，包括：
将所述硅片第一面的第一钝化层局部进行激光消融裸露出所述硅片。
5.根据权利要求1至3任一项所述的背结太阳能电池制备方法，其特征在于，所述重掺杂区域的宽度小于所述第一金属栅线的宽度，和/或，所述裸露区域的宽度小于所述第一金属栅线的宽度。
6.根据权利要求5所述的背结太阳能电池制备方法，其特征在于，所述第一金属栅线的宽度为5-30微米，和/或，所述重掺杂区域的宽度为4-20微米，和/或，所述裸露区域的宽度为4-20微米。
7.根据权利要求1至3任一项所述的背结太阳能电池制备方法，其特征在于，所述第一金属栅线为银栅线。
8.根据权利要求7所述的背结太阳能电池制备方法，其特征在于，所述第一金属栅线为掺有铝的银栅线，所述第一金属栅线中银和铝的比例大于或等于85:1。
9.根据权利要求1至3任一项所述的背结太阳能电池制备方法，其特征在于，还包括：
在所述硅片的第二面依次形成隧穿氧化层、掺杂多晶硅层、第二钝化层以及第二金属栅线。
10.一种背结太阳能电池，其特征在于，所述背结太阳能电池是采用如权利要求1至9任一项所述的背结太阳能电池制备方法制备得到的。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
