[发明专利]背结太阳能电池及其制备方法

说明书

本发明涉及光伏技术领域，提供一种背结太阳能电池及其制备方法，其中方法包括：将硅片第一面的第一钝化层局部去除裸露出硅片；向硅片的裸露区域提供带有电子的掺杂源并进行光照，形成重掺杂区域；在重掺杂区域进行金属化，形成第一金属栅线。解决了现有技术中扩散掺杂时因经历高温掺杂过程导致硅片寿命大幅降低，影响背结太阳能电池的光电转换效率的问题，由于本发明的掺杂过程中硅片的裸露区域因光照产生的空穴能够与掺杂源带的电子中和进而发热，从而在裸露区域形成局部高温，无需硅片整体经历高温，降低了对硅片的寿命的影响，进而保证了背结太阳能电池的光电转换效率。

技术领域

本发明涉及光伏技术领域，尤其涉及一种背结太阳能电池及其制备方法。

背景技术

太阳能电池可以利用太阳光进行发电，目前的太阳能电池种类繁多，其中，背结太阳能电池是一种非常有效率潜力的太阳能电池，例如P型背结太阳能电池可以实现24.7％以上的光电转换效率。

对于背结太阳能电池来说，在正面的金属化区域形成欧姆接触需要达到一定掺杂浓度，所以需要进行金属化区域的局域扩散掺杂，但是所采用的硅片自身特性受限，当经历高温掺杂过程时就会造成硅片寿命大幅降低，进而影响背结太阳能电池的光电转换效率。

发明内容

本发明提供一种背结太阳能电池及其制备方法，用以解决现有技术中扩散掺杂时因经历高温掺杂过程导致硅片寿命大幅降低，影响背结太阳能电池的光电转换效率的缺陷，实现局部高温的局域掺杂，降低了对硅片的寿命的影响，保证了背结太阳能电池的光电转换效率。

本发明提供一种背结太阳能电池制备方法，包括：

将硅片第一面的第一钝化层局部去除裸露出所述硅片；

向所述硅片的裸露区域提供带有电子的掺杂源并进行光照，形成重掺杂区域；

在所述重掺杂区域进行金属化，形成第一金属栅线。

根据本发明提供的背结太阳能电池制备方法，所述向所述硅片的裸露区域提供带有电子的掺杂源，包括：

将带所述掺杂源的溶胶经过电子产生装置处理，并利用喷头将所述溶胶喷向所述硅片的裸露区域。

根据本发明提供的背结太阳能电池制备方法，所述进行光照时的太阳辐照度至少为10×1千瓦/平方米。

根据本发明提供的背结太阳能电池制备方法，所述将硅片第一面的第一钝化层局部去除裸露出所述硅片，包括：

将所述硅片第一面的第一钝化层局部进行激光消融裸露出所述硅片。

根据本发明提供的背结太阳能电池制备方法，所述重掺杂区域的宽度小于所述第一金属栅线的宽度，和/或，所述裸露区域的宽度小于所述第一金属栅线的宽度。

根据本发明提供的背结太阳能电池制备方法，所述第一金属栅线的宽度为5-30微米，和/或，所述重掺杂区域的宽度为4-20微米，和/或，所述裸露区域的宽度为4-20微米。

根据本发明提供的背结太阳能电池制备方法，所述第一金属栅线为银栅线。

根据本发明提供的背结太阳能电池制备方法，所述第一金属栅线为掺有铝的银栅线，所述第一金属栅线中银和铝的比例大于或等于85:1。

根据本发明提供的背结太阳能电池制备方法，还包括：

在所述硅片的第二面依次形成隧穿氧化层、掺杂多晶硅层、第二钝化层以及第二金属栅线。

本发明还提供一种背结太阳能电池，所述背结太阳能电池是采用如上述任一种所述的背结太阳能电池制备方法制备得到的。