[发明专利]半导体制造装置用部件在审
申请号: | 202211257466.0 | 申请日: | 2022-10-14 |
公开(公告)号: | CN116504707A | 公开(公告)日: | 2023-07-28 |
发明(设计)人: | 井上靖也;久野达也;吉田信也;长江智毅;小木曾裕佑;要藤拓也 | 申请(专利权)人: | 日本碍子株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01J37/20;H01J37/32 |
代理公司: | 北京旭知行专利代理事务所(普通合伙) 11432 | 代理人: | 王轶;郑雪娜 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 制造 装置 部件 | ||
本发明提供半导体制造装置用部件,使将晶片载放面和多孔质插塞的上表面连通的细孔的加工性变得良好。半导体制造装置用部件(10)具有:陶瓷板(20)、多孔质插塞(50)、绝缘盖(56)以及细孔(58)。陶瓷板(20)在上表面具有晶片载放面(21)。多孔质插塞(50)配置于沿着上下方向贯穿陶瓷板(20)的插塞插入孔(24),且容许气体流通。绝缘盖(56)设置成与多孔质插塞(50)的上表面接触,且在晶片载放面(21)露出。细孔(58)在绝缘盖(56)设置有多个,且沿着上下方向贯穿绝缘盖(56)。
技术领域
本发明涉及半导体制造装置用部件。
背景技术
以往,作为半导体制造装置用部件,已知有具有晶片载放面的静电卡盘设置在冷却装置上的部件。例如,专利文献1的半导体制造装置用部件具备:气体供给孔,其设置于冷却装置;凹部,其以与气体供给孔连通的方式设置于静电卡盘;细孔,其从凹部的底面贯通至晶片载放面;以及多孔质插塞,其由填充于凹部的绝缘材料形成。当将氦等背侧气体向气体供给孔导入时,该气体从气体供给孔、多孔质插塞及细孔通过而向晶片的背面侧的空间供给。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2013-232640号公报
发明内容
然而,上述半导体制造装置用部件中,在构成静电卡盘的陶瓷板的凹部的底部设置有细孔,因此,从加工来讲,很难使细孔的上下方向上的长度变小。
本发明是为了解决上述课题而实施的,其主要目的在于,使将晶片载放面和多孔质插塞的上表面连通的细孔的加工性变得良好。
本发明的半导体制造装置用部件具备:
陶瓷板,该陶瓷板在上表面具有晶片载放面;
多孔质插塞,该多孔质插塞配置于沿着上下方向贯穿所述陶瓷板的插塞插入孔,且容许气体流通;
绝缘盖,该绝缘盖设置成与所述多孔质插塞的上表面接触,且在所述晶片载放面露出;以及
多个细孔,该多个细孔沿着上下方向贯穿所述绝缘盖。
该半导体制造装置用部件中,在与陶瓷板分体的绝缘盖设置有多个细孔。因此,与在陶瓷板直接设置有多个细孔的情况相比,细孔的加工性变得良好。
本发明的半导体制造装置用部件中,所述绝缘盖可以为喷镀膜或陶瓷块体。据此,能够比较容易地制作绝缘盖。
本发明的半导体制造装置用部件中,所述晶片载放面可以具有对晶片进行支撑的大量小突起,所述绝缘盖的上表面可以为与所述晶片载放面的未设置所述小突起的基准面相同的高度,所述细孔的上下方向上的长度可以为0.01mm以上0.5mm以下。据此,晶片的背面与多孔质插塞的上表面之间的空间的高度被抑制在较低水平,因此,能够防止在该空间发生电弧放电。这种情况下,所述绝缘盖可以为陶瓷块体,背面借助粘接层而粘接于所述陶瓷板。据此,还能防止粘接层劣化。这是因为:可防止晶片的背面与多孔质插塞的上表面之间的空间中的电弧放电。应予说明,基准面的高度可以针对各小突起为不同的高度。另外,基准面的高度可以为与最接近于插塞插入孔的小突起的底面相同的高度。
本发明的半导体制造装置用部件中,所述细孔的直径可以为0.01mm以上0.5mm以下,在所述绝缘盖可以设置有5个以上所述细孔。据此,供给至多孔质插塞的气体朝向晶片的背面顺畅地流出。
本发明的半导体制造装置用部件中,所述插塞插入孔可以在内周面具有内螺纹部,所述多孔质插塞可以在外周面具有旋合于所述内螺纹部的外螺纹部。据此,无需采用粘接剂,就能够将多孔质插塞配置于插塞插入孔。另外,外螺纹部和内螺纹部旋合的部位与没有螺纹的情形相比,不易在上下方向上产生间隙,并且,沿面距离变长,因此,能够充分抑制该部位处的放电。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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