[发明专利]体声波谐振器及其制作方法在审

专利信息
申请号: 202211260246.3 申请日: 2022-10-14
公开(公告)号: CN115694402A 公开(公告)日: 2023-02-03
发明(设计)人: 张大鹏;林瑞钦 申请(专利权)人: 武汉光钜微电子有限公司
主分类号: H03H9/02 分类号: H03H9/02;H03H9/05;H03H3/02
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 徐雯;胡春光
地址: 430000 湖北省武汉市武汉东湖高新技术开发区高*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 声波 谐振器 及其 制作方法
【说明书】:

本公开实施例公开了一种体声波谐振器及其制作方法,所述体声波谐振器包括:衬底;依次层叠于衬底上的反射结构、第一电极层、压电层和第二电极层;框架结构,位于所述第二电极层上,且靠近有源区的边缘,包括:第一子框架结构和第二子框架结构;其中,所述第一子框架结构的内侧轮廓和外侧轮廓中的至少一个包括第一凸出部分,所述第二子框架结构的内侧轮廓和外侧轮廓中的至少一个包括第二凸出部分,所述第二凸出部分和所述第一凸出部分不同。

技术领域

本公开实施例涉及谐振器领域,尤其涉及一种体声波谐振器及其制作方法。

背景技术

随着移动通讯技术的发展,射频器件更趋于小化。体声波谐振器由于具有体积小、品质因数(Q factor,Q值)高等优点,广泛应用于移动通讯技术中,例如,移动终端中的滤波器或双工器等。

而在移动终端中,存在多个频段同时使用的情况,这要求滤波器或双工器具有更加陡峭的裙边和更小的插入损耗。滤波器或双工器的性能受体声波谐振器的影响,提高体声波谐振器的Q值可以实现更加陡峭的裙边和更小的插入损耗。因此,如何提高体声波谐振器的Q值成为亟待解决的问题。

发明内容

根据本公开实施例的第一方面,提供一种体声波谐振器,包括:

衬底;

依次层叠于衬底上的反射结构、第一电极层、压电层和第二电极层;

框架结构,位于所述第二电极层上,且靠近有源区的边缘,包括:第一子框架结构和第二子框架结构;其中,所述第一子框架结构的内侧轮廓和外侧轮廓中的至少一个包括第一凸出部分,所述第二子框架结构的内侧轮廓和外侧轮廓中的至少一个包括第二凸出部分,所述第二凸出部分和所述第一凸出部分不同。

在一些实施例中,所述第一子框架结构的形状包括弧线部分,所述第二子框架结构的形状包括至少两个直线部分;所述弧线部分和所述至少两个直线部分连接形成所述框架结构的形状。

在一些实施例中,所述框架结构的形状关于轴对称,所述第一子框架结构位于所述对称轴的一边,所述第二子框架结构位于所述对称轴的另一边。

在一些实施例中,所述第一凸出部分的形状包括n边形或弧形,n为大于或等于3的正整数;所述第二凸出部分的形状包括m边形或弧形,m为大于或等于3的正整数。

在一些实施例中,所述第一子框架结构的内侧轮廓包括所述第一凸出部分;其中,所述第一子框架结构的内侧轮廓的第一凸出部分的凸出方向由所述有源区的边缘指向所述有源区的中部;

所述第一子框架结构的外侧轮廓包括所述第一凸出部分;其中,所述第一子框架结构的外侧轮廓的第一凸出部分的凸出方向由所述有源区的中部指向所述有源区的边缘。

在一些实施例中,所述第二子框架结构的内侧轮廓包括所述第二凸出部分;其中,所述第二子框架结构的内侧轮廓的第二凸出部分的凸出方向由所述有源区的边缘指向所述有源区的中部;

所述第二子框架结构的外侧轮廓包括所述第二凸出部分;其中,所述第二子框架结构的外侧轮廓的第二凸出部分的凸出方向由所述有源区的中部指向所述有源区的边缘。

在一些实施例中,所述第一凸出部分的凸出方向与所述第二凸出部分的凸出方向相同或相反。

在一些实施例中,所述第一凸出部分周期排布,周期数大于等于3;

所述第二凸出部分周期排布,周期数大于等于3。

在一些实施例中,相邻的两个所述第一凸出部分之间间隔设置;

相邻的两个所述第二凸出部分之间间隔设置。

在一些实施例中,相邻的两个所述第一凸出部分之间的间距大于1微米;

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