[发明专利]一种薄膜晶体管TFT及改善OLED显示残像的方法

权利要求书

1.一种改善OLED显示残像的方法，所述OLED采用薄膜晶体管TFT驱动,其特征在于，包括以下步骤：

S10.确定薄膜晶体管TFT的基底为柔性基底；

S20.检测所述基底的水氧阻隔层与基底之间的接触处对TFT稳定性的影响，并优化所述水氧阻隔层与所述基底间的接触界面；

S30.检测所述TFT的栅绝缘层与有源层间的界面对TFT稳定性的影响，并优化所述栅绝缘层与有源层间的界面；

S40.验证优化后的所述TFT的稳定性，检测基底和水氧阻隔层电容的变化，优化所述TFT的制备工艺。

2.根据权利要求1所述的改善OLED显示残像的方法，其特征在于，所述S20包括S21:检测基底的水氧阻隔层结构对所述TFT稳定性的影响，并优化所述水氧阻隔层结构。

3.根据权利要求1所述的改善OLED显示残像的方法，其特征在于，所述S30进一步包括S31:检测所述TFT的有源层的态密度对所述TFT稳定性的影响，并优化所述有源层的态密度模型，从而优化所述栅绝缘层与有源层间的界面。

4.根据权利要求1所述的改善OLED显示残像的方法，其特征在于，所述影响所述有源层态密度的因素包括：有源层类型、有源层结构和制备工艺条件。

5.根据权利要求2所述的改善OLED显示残像的方法，其特征在于，所述水氧阻隔层包括氧化硅层和氮化硅层，所述优化所述水氧阻隔层结构包括：改变氧化硅层和氮化硅层的层厚、或者改变氧化硅层和氮化硅层的层数及二者的相对位置。

6.根据权利要求3所述的改善OLED显示残像的方法，其特征在于，所述所述优化有源层的态密度模型包括：优化有源层成膜工艺和多有源层结构，所述有源层成膜工艺包括：膜层沉积速率、厚度和退火温度。

7.根据权利要求1所述的改善OLED显示残像的方法，其特征在于，所述优化所述水氧阻隔层与所述基底间的接触界面包括：在对基底进行等离子处理后，选取TFT阈值电压漂移最少的曲线对应的等离子体，缩短该等离子体处理的功率和时间的步长，重复制备TFT的步骤并完成转移特性曲线的测试，确定最优的等离子体处理的功率和时间，从而优化所述接触界面。

8.根据权利要求1所述的改善OLED显示残像的方法，其特征在于，所述验证优化后的TFT的稳定性为测试TFT转移特性曲线、提取阈值电压和观察转移特性曲线的漂移程度。

9.根据权利要求1所述的改善OLED显示残像的方法，其特征在于，所述S40包括：检测TFT工作前后基底和水氧阻隔层电容的变化量，确定OLED显示残像程度所对应的工作前基底和水氧阻隔层电容的区间范围，据此区间范围优化制备TFT时的基底和水氧阻隔层的制备工艺，改善OLED残像现象。

10.一种薄膜晶体管TFT，其特征在于，采用权利要求1-9任一项所述的改善OLED显示残像的方法制备获得。