[发明专利]一种薄膜晶体管TFT及改善OLED显示残像的方法

说明书

本发明涉及一种薄膜晶体管TFT及改善OLED显示残像的方法，包括：确定薄膜晶体管TFT的基底为柔性基底；检测基底的水氧阻隔层与基底之间的接触处对TFT稳定性的影响，并优化水氧阻隔层与所述基底间的接触界面；检测所述TFT的栅绝缘层与有源层间的界面对TFT稳定性的影响，并优化栅绝缘层与有源层间的界面；验证优化后的TFT的稳定性，检测基底和水氧阻隔层电容的变化，优化TFT的制备工艺。本发明结合半导体制造技术，在有源驱动层面，从根本上检测由薄膜晶体管造成的TFT不稳定性，进而导致OLED残像现象的原因。本发明通过设置检测界面和膜层等对TFT稳定性的影响，并据此改善界面和膜层，达到缓解OLED显示残像的目的，进一步实现提升OLED显示器的性能和延长OLED显示寿命。

技术领域

本发明涉及半导体工艺与制造领域，具体涉及一种薄膜晶体管TFT及改善OLED显示残像的方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示技术是继液晶显示技术之后的新一代显示技术，与LCD的显示原理相比，OLED不再需要背光源，通过有机材料的辐射跃迁过程实现自主发光，能够显示出更加具有高对比度和更鲜艳的画面，在以薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)作为有源矩阵(Active-matrix,AM)的驱动下，AMOLED展现出广色域、低能耗、柔性化等优点，是最具发展潜力的显示技术之一。现如今，尽管OLED显示技术已被广泛应用于平板显示领域，但OLED显示残像问题仍是亟需研究和解决的关键技术。

OLED显示残像是指随着OLED显示器的工作时间延长和OLED的老化，在像素图像切换时，上一幅画面的亮度信息残留在新的画面上的现象。OLED残像现象发生后，通常需要很长时间恢复甚至无法自主恢复，将严重影响OLED的显示效果，残像现象因此成为影响OLED寿命的重要原因。导致OLED残像现象的原因包括OLED有机材料的退化和有源驱动矩阵薄膜晶体管的性能恶化两方面，其中有机材料的退化主要来源于蓝色子像素的较短寿命和过早退化，而在有源驱动方面则主要源自于TFT阈值电压的漂移。由于高性能OLED有机材料和结构难以在短时间内被设计和制造出来，为了缓解OLED残像现象，目前常见的方法是增加外部补偿电路，以保证在TFT阈值电压漂移时，仍能保持OLED两端电压或电流的稳定，实现OLED显示画面的正常切换，达到缓解OLED残像的目的。然而，外部补偿电路属于对OLED残像的间接缓解办法，并不能直接检测到TFT阈值电压漂移的准确原因，对提升TFT的稳定性意义不大，更重要的是，使用外部补偿电路对OLED残像现象进行改善，往往需要更复杂的电路设计以及像素亮度补偿系统，不仅影响了OLED屏幕的分辨率，且加大了OLED的显示功耗。

发明内容

为了克服现有技术存在的问题，本发明提供一种薄膜晶体管TFT和改善OLED显示残像的方法，用于克服目前存在的缺陷。

一种改善OLED显示残像的方法，所述OLED采用薄膜晶体管TFT驱动,包括以下步骤：

S10.确定薄膜晶体管TFT的基底为柔性基底；

S20.检测所述基底的水氧阻隔层与基底之间的接触处对TFT稳定性的影响，并优化所述水氧阻隔层与所述基底间的接触界面；

S30.检测所述TFT的栅绝缘层与有源层间的界面对TFT稳定性的影响，并优化所述栅绝缘层与有源层间的界面；

S40.验证优化后的所述TFT的稳定性，检测基底和水氧阻隔层电容的变化，优化所述TFT的制备工艺。

如上所述的方面和任一可能的实现方式，进一步提供一种实现方式，所述S20包括S21:检测基底的水氧阻隔层结构对所述TFT的影响，并优化所述水氧阻隔层结构。

如上所述的方面和任一可能的实现方式，进一步提供一种实现方式，所述S30进一步包括S31:检测所述TFT的有源层的态密度对所述TFT稳定性的影响，并优化所述有源层的态密度模型，从而优化所述栅绝缘层与有源层间的界面。