[发明专利]降低钕铁硼磁体碳含量的方法

说明书

本发明公开了一种降低钕铁硼磁体碳含量的方法，包括以下步骤：第一烧结工序：将钕铁硼磁体的生坯置入第一脱蜡真空室中，在350～400℃保温1～2.5h；保温过程中，抽真空状态下不连续地通入惰性气体，且第一脱蜡真空室的真空度小于150Pa；第二烧结工序：将第一烧结工序所得的物料置入第二脱蜡真空室中，在550～620℃保温2～4h；保温过程中，抽真空状态下不连续地通入惰性气体，且第二脱蜡真空室的真空度小于150Pa。本发明的方法可以降低所得钕铁硼磁体的碳含量。

技术领域

本发明涉及一种降低钕铁硼磁体碳含量的方法。

背景技术

钕铁硼永磁是当前工业化生产中综合性能较优的磁性材料之一，是产量最高、应用也最为广泛的稀土永磁材料。钕铁硼永磁工艺技术和应用领域近些年得到了迅猛发展，逐渐发展成为市场主流磁性材料品种之一。人们通过各种元素的添加来提高钕铁硼磁体的综合性能，实现在不降低剩磁的情况下提高矫顽力，提高其耐腐蚀性和稳定性。

钕铁硼磁体中的碳含量是影响钕铁硼磁体的性能的因素之一。通过减少磁体中的碳含量以提高产品磁性能。

钕铁硼磁体中的碳主要是磁体成型前添加的润滑剂和防氧化剂引入的，而在烧结过程中又未脱出的。

CN109161819A公开了低碳含量的烧结钕铁硼磁体的制备方法，包括以下步骤：步骤一、将钕铁硼磁体原料进行真空熔炼得到钕铁硼磁体合金；步骤二、将钕铁硼磁体合金进行氢爆处理，磨制成钕铁硼粉末，压制成型得到钕铁硼生坯；步骤三、将钕铁硼生坯相对的两侧加载电压，通电，且整个通电过程中钕铁硼生坯处于充满氩气，温度保持在100℃的环境中进行；步骤四、将步骤三处理后的钕铁硼生坯进行真空烧结得到烧结钕铁硼磁体。该专利文献通过在原料中加入Si，并且在100℃温度条件下对其制成的钕铁硼生坯进行通电处理，有助于碳的清除。

CN108389709A公开了低碳烧结钕铁硼磁体的制备方法，包括以下步骤：按照钕铁硼合金配比配制原料；将原料中的稀土原料与一定量的高纯Si粉放入高能球磨机中球磨1-2h，制成含Si稀土原料粉末，将原料中的其他原料一起熔炼为合金铸锭或速凝片；然后将合金铸锭或速凝片进行氢破碎，并对氢破碎后的合金粉末进行脱氢；将脱氢处理后的合金粉末与所得的含Si稀土原料粉末进行混合，并加入润滑剂，抗氧化剂；将混合好的粉末利用气流磨进行研磨，将气流磨后的粉末置于混料机内混合，置于磁场中垂直取向，压制成坯件；将压型好的坯件置于真空中烧结，烧结后采用二次回火热处理，得到钕铁硼磁体。该专利文献通过在原料中加入Si有助于碳的清除。但由于Si对磁体性能也有不利的影响，因此，需要寻求不通过添加Si以降低碳含量的方法。

CN106601459A公开了一种降低钕铁硼磁体碳含量的烧结方法，包括：将钕铁硼生坯放入烧结炉中进行真空烧结，在烧结炉升温至一预设值时，通入氢气且氢气的含量控制在其爆炸点之外，所述预设值范围为200-800℃。该方法具有一定的爆炸危险性。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种降低钕铁硼磁体碳含量的方法，该方法可以减少产品碳含量。

本发明采用如下技术方案实现上述目的。

本发明提供一种降低钕铁硼磁体碳含量的方法，包括以下步骤：

第一烧结工序：将钕铁硼磁体的生坯置入第一脱蜡真空室中，在350～400℃保温1～2.5h；保温过程中，抽真空状态下不连续地通入惰性气体，且第一脱蜡真空室的真空度小于150Pa；

第二烧结工序：将第一烧结工序所得的物料置入第二脱蜡真空室中，在550～620℃保温2～4h；保温过程中，抽真空状态下不连续地通入惰性气体，且第二脱蜡真空室的真空度小于150Pa。

根据本发明所述的方法，优选地，第一烧结工序和第二烧结工序中，所述不连续地通入惰性气体为每隔10～35min通入惰性气体1～15min；所述惰性气体为氩气。