[发明专利]一种沟槽型MOSFET的制造方法

权利要求书

1.一种沟槽型MOSFET的制造方法，包括：

形成从第一掺杂类型的外延层的上表面延伸至其内部的沟槽；

形成位于所述沟槽内的栅介质层以及栅极导体，其中，所述栅介质层覆盖所述沟槽的内表面，将所述栅极导体与所述外延层隔离；

形成位于所述外延层内的第二掺杂类型的体区，所述体区与所述沟槽相邻；

形成位于所述体区内的第一掺杂类型的源区；

在所述源区上方以及所述栅介质层上方形成第一介质层；

形成贯穿第一介质层和源区，延伸至体区内部的接触孔；

在所述接触孔的侧壁形成侧墙，并且经由所述接触孔形成第二掺杂类型的体接触区；

形成填充于接触孔内的导电通道；

形成所述接触区的方法包括：

在所述接触孔的侧壁形成第一侧墙；

经由具有所述第一侧墙的接触孔对体区以第一离子注入能量进行第一次离子注入；

对所述第一侧墙进行减薄，在所述接触孔的侧壁形成第二侧墙；

经由具有所述第二侧墙的接触孔对体区以第二离子注入能量进行第二次离子注入，形成所述接触区，所述第一离子注入能量大于所述第二离子注入能量。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述侧墙在靠近所述接触孔的底部一端相较于靠近所述接触孔的开口一端具有较厚的厚度。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，形成第一侧墙的方法包括：

形成第二介质层，所述第二介质层覆盖所述接触孔的底部以及侧壁；

去除所述接触孔底部的所述第二介质层，在所述接触孔的侧壁形成第一侧墙。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，更包含，对所述第二侧墙进行减薄，在所述接触孔的侧壁形成第三侧墙，所述第三侧墙在靠近所述接触孔的底部一端相较于靠近所述接触孔的开口一端具有较厚的厚度。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，经由具有所述第三侧墙的接触孔对体区以第三离子注入能量进行第三次离子注入，注入的掺杂剂的位置与所述接触孔底面的距离分别是所述第一次注入大于所述第二次注入，所述第二次注入大于所述第三次注入，所述第一次离子注入能量大于所述第二次离子注入能量，所述第二次离子注入能量大于所述第三次离子注入能量。