[发明专利]一种沟槽型MOSFET的制造方法

说明书

本申请公开了一种沟槽型MOSFET的制造方法，包括：形成从第一掺杂类型的外延层的上表面延伸至其内部的沟槽；形成位于沟槽内的栅介质层以及栅极导体；形成位于所述外延层内的第二掺杂类型的体区，所述体区与所述沟槽相邻；形成位于所述体区内的第一掺杂类型的源区；在所述源区上方以及所述栅介质层上方形成第一介质层；形成贯穿第一介质层和源区，延伸至体区内部的接触孔；在所述接触孔的侧壁形成侧墙；经由所述接触孔形成第二掺杂类型的体接触区；形成填充于接触孔内的导电通道。本申请在形成体接触区之前形成接触孔，并且在接触孔中形成侧墙，接触孔侧壁的侧墙能够防止体接触区横向侵入至沟道区，保证器件的性能的可靠性。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种沟槽型MOSFET的制造方法。

背景技术

沟槽MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管）器件具有输入阻抗高，驱动电流小，开关速度快，高温特性好等优点被广泛应用于电力电子领域。

一般的沟槽型MOSFET器件中，通过不断减小器件的尺寸来降低器件的导通电阻，器件尺寸的减小会导致体区的尺寸相应的减小，从而导致形成于体区中的接触区横向侵入至与沟槽邻接的沟道区，影响器件的性能。

发明内容

鉴于上述问题，本申请的目的在于提供一种沟槽型MOSFET的制造方法，在形成接触区之前形成接触孔，并且在接触孔中形成侧墙，接触孔侧壁的侧墙能够防止接触区横向侵入至沟道区，保证器件的性能的可靠性。

本申请提供一种沟槽型MOSFET的制造方法，包括：

形成从第一掺杂类型的外延层的上表面延伸至其内部的沟槽；

形成位于所述沟槽内的栅介质层以及栅极导体，其中，所述栅介质层覆盖所述沟槽的内表面，将所述栅极导体与所述外延层隔离；

形成位于所述外延层内的第二掺杂类型的体区，所述体区与所述沟槽相邻；

形成位于所述体区内的第一掺杂类型的源区；

在所述源区上方以及所述栅介质层上方形成第一介质层；

形成贯穿第一介质层和源区，延伸至体区内部的接触孔；

在所述接触孔的侧壁形成侧墙；

经由所述接触孔形成第二掺杂类型的体接触区；

形成填充于接触孔内的导电通道。

附图说明

通过以下参照附图对本申请实施例的描述，本申请的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚：

图1示出了沟槽型MOSFET的截面图；

图2a至图2k示出了本申请第一实施例的沟槽型MOSFET器件的制造方法的各阶段截面图，其中：

图2a示出了本申请第一实施例形成沟槽之后的截面图；

图2b示出了本申请第一实施例形成多晶硅层之后的截面图；

图2c示出了本申请第一实施例形成栅极导体之后的截面图；

图2d示出了本申请第一实施例形成源区之后的截面图；

图2e示出了本申请第一实施例形成第一介质层之后的截面图；

图2f示出了本申请第一实施例形成接触孔之后的截面图；

图2g示出了本申请第一实施例形成第二介质层之后的截面图；

图2h示出了本申请第一实施例形成侧墙之后的截面图；