[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：

基底，包括彼此相邻的第一有源区和第二有源区；

第一有源图案和第二有源图案，分别设置在第一有源区和第二有源区上；以及

栅电极，延伸以与第一有源图案和第二有源图案交叉，

其中，栅电极包括位于第一有源区上的第一电极部分和位于第二有源区上的第二电极部分，

第二电极部分包括顺序地覆盖第二有源图案的第一金属图案、蚀刻阻挡图案、第二金属图案和第三金属图案，

第一电极部分包括覆盖第一有源图案的第二金属图案，

蚀刻阻挡图案与第一金属图案和第二金属图案接触，并且

蚀刻阻挡图案比第一金属图案薄并且比第二金属图案薄。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，基底还包括位于第一有源区与第二有源区之间的器件隔离层，并且

蚀刻阻挡图案的端部部分设置在器件隔离层上。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一电极部分的第二金属图案和第二电极部分的第二金属图案具有相同的厚度并且包括相同的材料。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，基底还包括位于第一有源区与第二有源区之间的器件隔离层，并且

第一电极部分的第二金属图案和第二电极部分的第二金属图案在器件隔离层上彼此连接。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，蚀刻阻挡图案包括相对于第二电极部分的第一金属图案具有蚀刻选择性的材料。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，蚀刻阻挡图案包括TiAlN、TiAlC、TiN和TaN中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，基底还包括位于第一有源区与第二有源区之间的器件隔离层，

第二电极部分的第一金属图案的端部部分设置在器件隔离层上，并且

蚀刻阻挡图案覆盖所述端部部分的侧表面。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，蚀刻阻挡图案从所述端部部分延伸到器件隔离层上的区域。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，第二有源图案包括顺序地堆叠的半导体图案，并且

第二电极部分的第一金属图案延伸到半导体图案之间的区域。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括位于第二有源图案与第二电极部分之间的栅极绝缘层，

其中，第二有源图案包括顺序地堆叠的半导体图案，

第二电极部分的第一金属图案设置在半导体图案之间，并且

蚀刻阻挡图案与栅极绝缘层接触。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，第二电极部分的第一金属图案包括彼此间隔开的多个电极部分，半导体图案置于所述多个电极部分之间。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一电极部分还包括覆盖第二金属图案的第三金属图案，并且

第二电极部分还包括覆盖第二电极部分的第二金属图案的第三金属图案。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，第一电极部分的第三金属图案连接到第二电极部分的第三金属图案。