[发明专利]半导体装置

说明书

提供了一种半导体装置，所述半导体装置可以包括：基底，包括彼此相邻的第一有源区和第二有源区；第一有源图案和第二有源图案，分别设置在第一有源区和第二有源区上；以及栅电极，延伸以与第一有源图案和第二有源图案交叉。栅电极可以包括分别设置在第一有源区和第二有源区上的第一电极部分和第二电极部分。第二电极部分可以包括顺序地覆盖第二有源图案的第一金属图案、蚀刻阻挡图案、第二金属图案和第三金属图案。第一电极部分可以包括覆盖第一有源图案的第二金属图案。蚀刻阻挡图案可以与第一金属图案和第二金属图案接触，并且蚀刻阻挡图案可以比第一金属图案薄并且比第二金属图案薄。

本专利申请要求于2022年1月27日在韩国知识产权局提交的第 10-2022-0012711号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的内容通过引用 全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种半导体装置，并且具体地，涉及一种包括场效应晶体管 的半导体装置。

背景技术

半导体装置包括由金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS-FET)组成的 集成电路。为了满足对具有小图案尺寸和减少的设计规则的半导体装置的日 益增长的需求，MOS-FET正在积极地按比例缩小。MOS-FET的按比例缩小 会导致半导体装置的操作性质的劣化。已经进行了各种研究以克服与半导体 装置的按比例缩小相关联的技术限制并且实现高性能半导体装置。

发明内容

提供一种具有改善的电特性的半导体装置是一方面。

根据一个或更多个实施例的一方面，半导体装置可以包括：基底，包括 彼此相邻的第一有源区和第二有源区；第一有源图案和第二有源图案，分别 设置在第一有源区和第二有源区上；以及栅电极，延伸以与第一有源图案和 第二有源图案交叉。栅电极可以包括在第一有源区上的第一电极部分和在第 二有源区上的第二电极部分。第二电极部分可以包括顺序地覆盖第二有源图 案的第一金属图案、蚀刻阻挡图案、第二金属图案和第三金属图案。第一电 极部分可以包括覆盖第一有源图案的第二金属图案。蚀刻阻挡图案可以与第一金属图案和第二金属图案接触，并且蚀刻阻挡图案可以比第一金属图案薄 并且比第二金属图案薄。

根据一个或更多个实施例的另一方面，一种半导体装置可以包括：基底， 包括彼此相邻的第一有源区和第二有源区；第一有源图案和第二有源图案， 分别设置在第一有源区和第二有源区上；栅电极，延伸以与第一有源图案和 第二有源图案交叉；以及栅极绝缘层，设置在栅电极与第一有源区之间以及 栅电极与第二有源区之间。栅电极可以包括在第一有源区上的第一电极部分 和在第二有源区上的第二电极部分。第二电极部分可以包括顺序地覆盖第二 有源图案的第一金属图案、蚀刻阻挡图案和第二金属图案。第一电极部分可 以包括覆盖第一有源图案的第二金属图案。蚀刻阻挡图案可以与第一金属图 案和第二金属图案接触。蚀刻阻挡图案可以与栅极绝缘层接触。