[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 202211274263.2 | 申请日: | 2022-10-18 |
公开(公告)号: | CN115440747A | 公开(公告)日: | 2022-12-06 |
发明(设计)人: | 田学伟;吴俣;杨晶利 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 曲鹏 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,包括显示区域和位于所述显示区域一侧的绑定区域,所述显示区域至少包括构成多个像素行和多个像素列的多个子像素、以及多条数据信号线,所述数据信号线与所述像素列中多个子像素电连接;所述绑定区域包括至少一个检测单元以及与所述检测单元连接的控制线、检测线和传输线,所述检测单元包括多个晶体管,至少一个晶体管包括有源层、源电极、漏电极、栅电极和栅极连接块,所述源电极与所述检测线连接,所述漏电极通过所述传输线与所述数据信号线连接,所述栅电极与所述栅极连接块连接,所述栅极连接块通过过孔与所述控制线连接,所述栅电极和所述栅极连接块在所述显示基板平面上的正投影与所述控制线在所述显示基板平面上的正投影至少部分交叠,所述过孔在所述显示基板平面上的正投影与所述有源层在所述显示基板平面上的正投影没有交叠。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述栅极连接块在所述显示基板平面上的正投影与所述有源层在所述显示基板平面上的正投影没有交叠。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述栅极连接块靠近所述有源层一侧的边缘与所述有源层靠近所述栅极连接块一侧的边缘之间的距离大于2μm。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述栅电极的形状为沿着所述像素行方向延伸的条形状,所述栅极连接块的形状为矩形状,所述栅极连接块设置在所述栅电极的一侧,且与所述栅电极连接。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述栅电极和所述栅极连接块为相互连接的一体结构。
6.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述栅极连接块的第二宽度大于所述栅电极的第一宽度,所述第一宽度为所述栅电极沿所述像素列方向的最小尺寸,所述第二宽度为所述栅极连接块沿所述像素列方向的最小尺寸。
7.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述控制线上设置有栅连接电极,所述栅连接电极在所述显示基板平面上的正投影与所述栅极连接块在所述显示基板平面上正投影至少部分交叠,所述栅连接电极通过过孔与所述栅极连接块连接。
8.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述控制线和所述栅连接电极为相互连接的一体结构。
9.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述栅连接电极的第四宽度大于所述控制线的第三宽度,所述第三宽度为所述控制线沿所述像素列方向的最小尺寸,所述第四宽度为所述栅连接电极沿所述像素列方向的最小尺寸。
10.根据权利要求1至9任一项所述的显示基板,其特征在于,所述多个像素列至少包括沿着所述像素行方向依次设置的第一像素列、第二像素列、第三像素列和第四像素列,所述第一像素列和第三像素列均包括多个出射红色光线的红色子像素和多个出射蓝色光线的蓝色子像素,所述第二像素列包括多个出射绿色光线的第一绿色子像素,所述第四像素列包括多个出射绿色光线的第二绿色子像素;所述多条数据信号线至少包括沿着所述像素行方向依次设置的第一数据信号线、第二数据信号线、第三数据信号线和第四数据信号线,所述第一数据信号线与所述第一像素列中的多个红色子像素和多个蓝色子像素电连接,所述第二数据信号线与所述第二像素列中的多个第一绿色子像素电连接,所述第三数据信号线与所述第三像素列中的多个红色子像素和多个蓝色子像素电连接,所述第四数据信号线与所述第四像素列中的多个第二绿色子像素电连接;所述传输线至少包括第一传输线、第二传输线、第三传输线和第四传输线,所述第一传输线与所述第一数据信号线连接,所述第二传输线与所述第二数据信号线连接,所述第三传输线与所述第三数据信号线连接,所述第四传输线与所述第四数据信号线连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的