[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置在审

专利信息
申请号: 202211274263.2 申请日: 2022-10-18
公开(公告)号: CN115440747A 公开(公告)日: 2022-12-06
发明(设计)人: 田学伟;吴俣;杨晶利 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L27/32;H01L21/77
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 曲鹏
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 显示 及其 制备 方法 显示装置
【说明书】:

一种显示基板及其制备方法、显示装置。显示基板包括显示区域和绑定区域,显示区域至少包括数据信号线,数据信号线与一个像素列中的多个子像素电连接;绑定区域包括至少一个检测单元以及与检测单元连接的控制线、检测线和传输线,检测单元包括多个晶体管,至少一个晶体管包括有源层、源电极、漏电极、栅电极和栅极连接块,源电极与检测线连接,漏电极通过传输线与数据信号线连接,栅电极与栅极连接块连接,栅极连接块通过过孔与控制线连接,栅电极和栅极连接块在显示基板平面上的正投影与控制线在显示基板平面上的正投影至少部分交叠,过孔在显示基板平面上的正投影与有源层在显示基板平面上的正投影没有交叠。本公开有效解决了亮线缺陷。

技术领域

本公开涉及但不限于显示技术领域,尤指一种显示基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,简称OLED)和量子点发光二极管(Quantum-dot Light Emitting Diodes,简称QLED)为主动发光显示器件,具有自发光、广视角、高对比度、低耗电、极高反应速度等优点。随着显示技术的不断发展,以OLED或QLED为发光器件、由薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)进行信号控制的显示装置已成为目前显示领域的主流产品。

经本申请发明人研究发现,现有显示装置存在亮线缺陷。

发明内容

以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本公开所要解决的技术问题是,提供一种显示基板及其制备方法、显示装置,以解决显示装置存在的亮线缺陷。

一方面,本公开示例性实施例提供了一种显示基板,包括显示区域和位于所述显示区域一侧的绑定区域,所述显示区域至少包括构成多个像素行和多个像素列的多个子像素、以及多条数据信号线,所述数据信号线与所述像素列中多个子像素电连接;所述绑定区域包括至少一个检测单元以及与所述检测单元连接的控制线、检测线和传输线,所述检测单元包括多个晶体管,至少一个晶体管包括有源层、源电极、漏电极、栅电极和栅极连接块,所述源电极与所述检测线连接,所述漏电极通过所述传输线与所述数据信号线连接,所述栅电极与所述栅极连接块连接,所述栅极连接块通过过孔与所述控制线连接,所述栅电极和所述栅极连接块在所述显示基板平面上的正投影与所述控制线在所述显示基板平面上的正投影至少部分交叠,所述过孔在所述显示基板平面上的正投影与所述有源层在所述显示基板平面上的正投影没有交叠。

在示例性实施方式中,所述栅极连接块在所述显示基板平面上的正投影与所述有源层在所述显示基板平面上的正投影没有交叠。

在示例性实施方式中,所述栅极连接块靠近所述有源层一侧的边缘与所述有源层靠近所述栅极连接块一侧的边缘之间的距离大于2μm。

在示例性实施方式中,所述栅电极的形状为沿着所述像素行方向延伸的条形状,所述栅极连接块的形状为矩形状,所述栅极连接块设置在所述栅电极的一侧,且与所述栅电极连接。

在示例性实施方式中,所述栅电极和所述栅极连接块为相互连接的一体结构。

在示例性实施方式中,所述栅极连接块的第二宽度大于所述栅电极的第一宽度,所述第一宽度为所述栅电极沿所述像素列方向的最小尺寸,所述第二宽度为所述栅极连接块沿所述像素列方向的最小尺寸。

在示例性实施方式中,所述控制线上设置有栅连接电极,所述栅连接电极在所述显示基板平面上的正投影与所述栅极连接块在所述显示基板平面上正投影至少部分交叠,所述栅连接电极通过过孔与所述栅极连接块连接。

在示例性实施方式中,所述控制线和所述栅连接电极为相互连接的一体结构。

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