[发明专利]一种向人体施加电场的装置及电场治疗仪有效

专利信息
申请号: 202211275310.5 申请日: 2022-10-18
公开(公告)号: CN115361000B 公开(公告)日: 2023-01-24
发明(设计)人: 段红杰;张建义;赵希超 申请(专利权)人: 北京国械堂科技发展有限责任公司
主分类号: H03K3/013 分类号: H03K3/013;H03K3/015;A61N1/32;A61B18/00
代理公司: 北京箴思知识产权代理有限公司 11913 代理人: 李春晖
地址: 102629 北京市大兴区中关村科技园区*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 人体 施加 电场 装置 治疗
【权利要求书】:

1.一种向人体施加电场的装置,运用于干扰细胞分裂的电场治疗仪,其特征在于,包括:

信号发生器,用于产生第一脉宽调制信号和第二脉宽调制信号;

H桥驱动器,包括第一半桥驱动器和第二半桥驱动器,所述第一半桥驱动器用于接收所述第一脉宽调制信号,并产生第一高端驱动信号和第一低端驱动信号,所述第二半桥驱动器用于接收所述第二脉宽调制信号,并产生第二高端驱动信号和第二低端驱动信号;

H桥功率放大器,包括第一高端mos管、第一低端mos管、第二高端mos管和第二低端mos管,所述第一高端mos管和第一低端mos管,以及所述第二高端mos管和所述第二低端mos管分别构成所述H桥功率放大器的两个半桥,且所述第一高端mos管与所述第二高端mos管对称设置,所述第一低端mos管与所述第二低端mos管对称设置,所述第一高端mos管与所述第一半桥驱动器的第一高端驱动信号输出端连接,所述第一低端mos管与所述第一半桥驱动器的第一低端驱动信号输出端连接,所述第二高端mos管与所述第二半桥驱动器的第二高端驱动信号输出端连接,所述第二低端mos管与所述第二半桥驱动器的第二低端驱动信号输出端连接,所述第一低端mos管和所述第二低端mos管均接地;

输出变压器,所述输出变压器的输入端与所述H桥功率放大器的输出端连接;

滤波电路,所述滤波电路的输入端与所述输出变压器的输出端连接;

调压电源,与所述第一高端mos管和所述第二高端mos管均连接;

其中,所述H桥驱动器被配置为,在所述H桥功率放大器的输出端的输出信号为空时,向所述第一低端mos管发送所述第一低端驱动信号,同时向所述第二低端mos管发送第二低端驱动信号;

在所述H桥功率放大器的一个输出周期内,所述H桥驱动器被配置为:

在t0-t1区间,所述第一半桥驱动器向所述第一高端mos管发送所述第一高端驱动信号,所述第二半桥驱动器向所述第二低端mos管发送所述第二低端驱动信号;

在t1-t2区间,所述第一半桥驱动器向所述第一低端mos管发送所述第一低端驱动信号,所述第二半桥驱动器向所述第二低端mos管发送所述第二低端驱动信号;

在t2-t3区间,所述第一半桥驱动器向所述第一低端mos管发送所述第一低端驱动信号,所述第二半桥驱动器向所述第二高端mos管发送所述第二高端驱动信号;

在t3-t4区间,所述第一半桥驱动器向所述第一低端mos管发送所述第一低端驱动信号,所述第二半桥驱动器向所述第二低端mos管发送所述第二低端驱动信号;

其中,t0-t4区间为所述H桥功率放大器的一个输出周期。

2.如权利要求1所述的向人体施加电场的装置,其特征在于,所述第一脉宽调制信号和所述第二脉宽调制信号的频率和占空比均相同。

3.如权利要求2所述的向人体施加电场的装置,其特征在于,所述第一脉宽调制信号和所述第二脉宽调制信号的频率均为100khz-300khz,信号占空比均为28%-36%;

所述第一脉宽调制信号和所述第二脉宽调制信号的相位差为180°;

所述第一高端驱动信号与所述第一低端驱动信号互补;

所述第二高端驱动信号与所述第二低端驱动信号互补。

4.如权利要求1所述的向人体施加电场的装置,其特征在于,所述向人体施加电场的装置还包括第一滤波电路,所述第一滤波电路基于第一电容和所述输出变压器内部漏感构成,所述第一电容的两端分别与所述输出变压器的两个输出端连接。

5.如权利要求4所述的向人体施加电场的装置,其特征在于,所述向人体施加电场的装置还包括第二滤波电路,所述第二滤波电路包括第一电感、第二电容、第二电感和第三电容;

所述第一电感和所述第二电感分别串联在所述第一电容的两端,所述第二电容并联在所述第一电感的两端,所述第三电容并联在所述第二电感的两端。

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