[发明专利]一种向人体施加电场的装置及电场治疗仪有效
申请号: | 202211275310.5 | 申请日: | 2022-10-18 |
公开(公告)号: | CN115361000B | 公开(公告)日: | 2023-01-24 |
发明(设计)人: | 段红杰;张建义;赵希超 | 申请(专利权)人: | 北京国械堂科技发展有限责任公司 |
主分类号: | H03K3/013 | 分类号: | H03K3/013;H03K3/015;A61N1/32;A61B18/00 |
代理公司: | 北京箴思知识产权代理有限公司 11913 | 代理人: | 李春晖 |
地址: | 102629 北京市大兴区中关村科技园区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 人体 施加 电场 装置 治疗 | ||
本申请公开一种向人体施加电场的装置及电场治疗仪,包括:信号发生器、H桥驱动器、H桥功率放大器、输出变压器、滤波电路、调压电源;H桥功率放大器包括第一低端mos管和第二低端mos管,第一低端mos管和第二低端mos管均接地,H桥驱动器配置为,在所H桥功率放大器的输出端的输出信号为空时,向第一低端mos管发送第一低端驱动信号,同时向第二低端mos管发送第二低端驱动信号。脉宽为0时,令第一低端mos管和第二低端mos管导通,使得输出变压器的初级线圈的两端接地,避免脉宽为0时输出变压器的两端处于悬浮状态,降低输出变压器的阻抗,避免对输出的正弦波治疗信号造成干扰波动,保证输出的正弦波治疗信号能够达到最佳效果,进而提高治疗效果。
技术领域
本申请涉及电场治疗技术领域,尤其涉及一种向人体施加电场的装置及电场治疗仪。
背景技术
电场治疗仪可通过交变电场来阻止某些肿瘤细胞有丝分裂过程中纺锤体微管的形成并抑制细胞分裂期胞内细胞器的分离,诱导有丝分裂期的细胞凋亡,从而实现治疗肿瘤的作用。
在交流电场条件下,不同的电偶极子会由于交变电场方向的交替变化而转动。普通细胞与肿瘤细胞相对比,由于他们内部不同的局部化学组成对应不同的电偶极子,它们具有不同的介电响应。比如普通细胞与肿瘤细胞的DNA链的化学键细节不同,这意味着两种细胞的DNA链会对应不同的介电响应。在特定频率下的交变电场可以导致肿瘤细胞内部的DNA键断裂破坏,进而导致肿瘤细胞死亡,但所施加的电场对于普通细胞的DNA链没有明显的影响,也不影响正常细胞的生长。因此,电场治疗仪广泛应用于干扰细胞分裂以治疗肿瘤的领域中。
例如申请号为CN200780034204.5的现有技术公开了一种用于破坏了癌细胞的装置和方法,其通过向组织传送电场,比如将电极定位在包括癌细胞的目标组织区域内,并对目标组织施加交变电流以非热消融电极周围目标组织区域的癌细胞。
然而,目前所使用的电场治疗仪其内部向人体施加电场的装置具有较高的阻抗,不仅容易产生自由振荡,而且容易受到空间信号的干扰,从而导致产生的治疗信号波动较大,容易受到空间信号的干扰,失真度较高,无法产生预期的电流信号。
上述内容仅用于辅助理解本申请的技术方案,并不代表承认上述内容是现有技术。
发明内容
本申请的主要目的在于提供一种向人体施加电场的装置及电场治疗仪,旨在解决目前所使用的电场治疗仪其内部向人体施加电场的电路具有较高的阻抗,容易产生自由振荡,容易受到空间信号的干扰,从而导致产生的治疗信号波动较大,容易受到空间信号的干扰,失真度较高,治疗效果较差的问题。
为实现上述目的,本申请提供一种向人体施加电场的装置,包括:
信号发生器,用于产生第一脉宽调制信号和第二脉宽调制信号;
H桥驱动器,包括第一半桥驱动器和第二半桥驱动器,所述第一半桥驱动器用于接收所述第一脉宽调制信号,并产生第一高端驱动信号和第一低端驱动信号,所述第二半桥驱动器用于接收所述第二脉宽调制信号,并产生第二高端驱动信号和第二低端驱动信号;
H桥功率放大器,包括第一高端mos管、第一低端mos管、第二高端mos管和第二低端mos管,所述第一高端mos管和第一低端mos管,以及所述第二高端mos管和所述第二低端mos管分别构成所述H桥功率放大器的两个半桥,且所述第一高端mos管与所述第二高端mos管对称设置,所述第一低端mos管与所述第二低端mos管对称设置,所述第一高端mos管与所述第一半桥驱动器的第一高端驱动信号输出端连接,所述第一低端mos管与所述第一半桥驱动器的第一低端驱动信号输出端连接,所述第二高端mos管与所述第二半桥驱动器的第二高端驱动信号输出端连接,所述第二低端mos管与所述第二半桥驱动器的第二低端驱动信号输出端连接,所述第一低端mos管和所述第二低端mos管均接地;
输出变压器,所述输出变压器的输入端与所述H桥功率放大器的输出端连接;
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