[发明专利]半导体结构的形成方法及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供衬底，在所述衬底上形成图形结构，所述图形结构包括阵列区和外围电路区；

在所述衬底上形成覆盖所述阵列区和所述外围电路区的旋涂层，其中，所述旋涂层位于所述阵列区的表面与位于所述外围电路区的表面之间具有高度差；

对所述旋涂层进行化学机械抛光，以减小所述旋涂层位于所述阵列区的表面与位于所述外围电路区的表面之间的高度差。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述对所述旋涂层进行化学机械抛光，包括：

采用抛光垫和抛光液对所述旋涂层靠近所述抛光垫的部分进行化学机械抛光，以使磨掉的部分旋涂层变成游离部分，所述抛光液带动所述游离部分向远离所述抛光垫的方向流动。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述抛光液包括研磨料、溶剂、添加剂和表面活性剂。

4.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述抛光垫为软垫。

5.根据权利要求4所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述软垫由不织布与聚合物材料混合制备而成。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述聚合物材料为聚氨酯材料。

7.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述研磨料为有机树脂与交联剂的混合物。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述有机树脂为可含碳量60％～85％的酚醛树脂，所述交联剂为羧基苯。

9.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述旋涂层位于所述阵列区的表面高于所述旋涂层位于所述外围电路区的表面。

10.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述旋涂层为旋涂有机碳层。

11.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述阵列区的图形密度大于所述外围电路区的图形密度。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述衬底上形成覆盖所述阵列区和所述外围电路区的旋涂层，包括：

将旋涂材料旋涂于所述衬底上；

在预设温度下对所述旋涂材料进行加热，以使所述旋涂材料固化形成所述旋涂层。

13.根据权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述预设温度为300-500℃。

14.根据权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述衬底上形成覆盖所述阵列区和所述外围电路区的旋涂层的次数至少为一次。

15.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底上设置有图形结构，所述图形结构包括阵列区和外围电路区；

所述阵列区和所述外围电路区覆盖有旋涂层，且所述旋涂层位于所述阵列区的背离所述衬底的表面与位于所述外围电路区的背离所述衬底的表面之间的距离小于15nm。

16.根据权利要求15所述的半导体结构，其特征在于，所述阵列区的图形密度大于所述外围电路区的图形密度。