[发明专利]半导体结构的形成方法及半导体结构

说明书

本公开涉及半导体结构的形成方法及半导体结构。半导体结构的形成方法包括以下步骤：提供衬底，在衬底上形成图形结构，图形结构包括阵列区和外围电路区；在衬底上形成覆盖阵列区和外围电路区的旋涂层，其中，旋涂层位于阵列区的表面与位于外围电路区的表面之间具有高度差；对旋涂层进行化学机械抛光，以减小旋涂层位于阵列区的表面与位于外围电路区的表面之间的高度差，从而提高了旋涂层的平坦化程度，以减少后续制程中的结构缺陷，提高产品良率。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种半导体结构的形成方法及半导体结构。

背景技术

由于衬底上的图形结构具有不同的图案密度效应，旋涂层填充在具有嵌套图案的密集区域的厚度与填充在具有稀疏图案的稀疏区域的厚度不同，因此旋涂层的表面平坦化较差，这样就会极大地影响后续的工艺制程，大大降低半导体结构的性能。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构，以缓解现有技术中存在的旋涂层的表面平坦化较差会极大地影响后续的工艺制程，大大降低半导体结构的性能的技术问题。

基于上述目的，本公开提供了一种半导体结构的形成方法，包括以下步骤：

提供衬底，在所述衬底上形成图形结构，所述图形结构包括阵列区和外围电路区；

在所述衬底上形成覆盖所述阵列区和所述外围电路区的旋涂层，其中，所述旋涂层位于所述阵列区的表面与位于所述外围电路区的表面之间具有高度差；

对所述旋涂层进行化学机械抛光，以减小所述旋涂层位于所述阵列区的表面与位于所述外围电路区的表面之间的高度差。

在本公开的一个实施例中，所述对所述旋涂层进行化学机械抛光，包括：

采用抛光垫和抛光液对所述旋涂层靠近所述抛光垫的部分进行化学机械抛光，以使磨掉的部分旋涂层变成游离部分，所述抛光液带动所述游离部分向远离所述抛光垫的方向流动。

在本公开的一个实施例中，所述抛光液包括研磨料、溶剂、添加剂和表面活性剂。

在本公开的一个实施例中，所述抛光垫为软垫。

在本公开的一个实施例中，所述软垫由不织布与聚合物材料混合制备而成。

在本公开的一个实施例中，所述聚合物材料为聚氨酯材料。

在本公开的一个实施例中，所述研磨料为有机树脂与交联剂的混合物。

在本公开的一个实施例中，所述有机树脂为可含碳量60％～85％的酚醛树脂，所述交联剂为羧基苯。

在本公开的一个实施例中，所述旋涂层位于所述阵列区的表面高于所述旋涂层位于所述外围电路区的表面。

在本公开的一个实施例中，所述旋涂层为旋涂有机碳层。

在本公开的一个实施例中，所述阵列区的图形密度大于所述外围电路区的图形密度。

在本公开的一个实施例中，在所述衬底上形成覆盖所述阵列区和所述外围电路区的旋涂层，包括：

将旋涂材料旋涂于所述衬底上；

在预设温度下对所述旋涂材料进行加热，以使所述旋涂材料固化形成所述旋涂层。

在本公开的一个实施例中，所述预设温度为300-500℃。

在本公开的一个实施例中，在所述衬底上形成覆盖所述阵列区和所述外围电路区的旋涂层的次数至少为一次。