[发明专利]叠瓦组件、叠瓦组件的制作方法以及光伏电池在审
申请号: | 202211275967.1 | 申请日: | 2022-10-18 |
公开(公告)号: | CN115498048A | 公开(公告)日: | 2022-12-20 |
发明(设计)人: | 章海明;黄辉忠;王景凯 | 申请(专利权)人: | 浙江正泰电器股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/06;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 彭绪坤 |
地址: | 325603 浙江省温*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 组件 制作方法 以及 电池 | ||
1.一种叠瓦组件,其特征在于,包括至少两个电池片,相邻的两个所述电池片部分交叠并形成交叠区域,所述电池片包括:
衬底,具有第一表面,所述第一表面为受光面;
第一隧穿层,设于所述第一表面的局部;
第一掺杂多晶硅层,设于所述第一隧穿层的背离所述衬底的一侧;以及
第一主栅,设于所述第一掺杂多晶硅层的背离所述第一隧穿层的一侧;
其中,在相邻的两个所述电池片中,位于下方的所述电池片的所述第一隧穿层、所述第一掺杂多晶硅层和所述第一主栅设于所述交叠区域。
2.如权利要求1所述的叠瓦组件,其特征在于,所述第一主栅的宽度大于或等于0.2毫米。
3.如权利要求1所述的叠瓦组件,其特征在于,所述衬底还具有第二表面,所述第一表面和所述第二表面位于所述衬底的相对两侧,所述叠瓦组件还包括:
第二隧穿层,设于所述第二表面;
第二掺杂多晶硅层,设于所述第二隧穿层的背离所述衬底的一侧;
第二主栅,设于所述第二掺杂多晶硅层的背离所述第二隧穿层的一侧;
在相邻的两个所述电池片中,位于上方的所述电池片的第二主栅设于所述交叠区域中,位于下方的所述电池片的第一主栅和位于上方的所述电池片的第二主栅在所述交叠区域重叠并电性连接。
4.如权利要求3所述的叠瓦组件,其特征在于,所述衬底为N型硅衬底,所述第一掺杂多晶硅层为P型掺杂多晶硅层,所述第二掺杂多晶硅层为N型掺杂多晶硅层。
5.如权利要求3所述的叠瓦组件,其特征在于,所述叠瓦组件还包括导电胶,在相邻的两个所述电池片中,位于下方的所述电池片的所述第一主栅通过所述导电胶与位于上方的所述电池片的所述第二主栅电性连接。
6.如权利要求5所述的叠瓦组件,其特征在于,所述电池片还包括:
第一钝化层,覆盖于所述第一表面和所述第一掺杂多晶硅层上,所述第一钝化层设有第一凹槽和第一通孔;
所述第一主栅覆盖于所述第一凹槽内,所述第一主栅通过所述第一凹槽与所述第一掺杂多晶硅层接触;
所述导电胶覆盖于所述第一通孔,所述导电胶通过所述第一通孔与所述第一掺杂多晶硅层接触。
7.如权利要求6所述的叠瓦组件,其特征在于,所述第一钝化层包括下钝化层和上钝化层,所述下钝化层覆盖于所述第一表面和所述第一掺杂多晶硅层上,所述上钝化层覆盖于所述下钝化层。
8.如权利要求5所述的叠瓦组件,其特征在于,所述电池片还包括:
第二钝化层,覆盖于所述第二表面和所述第二掺杂多晶硅层上,所述第二钝化层设有第二凹槽和第二通孔;
所述第二主栅覆盖于所述第二凹槽内,所述第二主栅通过所述第二凹槽与所述第二掺杂多晶硅层接触;
所述导电胶覆盖于所述第二通孔,所述导电胶通过所述第二通孔与所述第二掺杂多晶硅层接触。
9.一种叠瓦组件的制作方法,其特征在于,包括:
在衬底的第一表面上形成第一隧穿层,在所述衬底的第二表面上形成第二隧穿层,所述第一表面和所述第二表面位于所述衬底的相对两侧;
在所述第一隧穿层上形成第一掺杂多晶硅层,在所述第二隧穿层上形成第二掺杂多晶硅层;
对所述第一隧穿层和所述第一掺杂多晶硅层进行图案化处理,得到依次设于所述第一表面的局部的所述第一隧穿层和所述第一掺杂多晶硅层;
在所述第一掺杂多晶硅层上形成第一主栅,在所述第二掺杂多晶硅层上形成第二主栅,得到电池片;
将至少两个所述电池片叠置并进行层压固化,使得相邻的两个所述电池片部分交叠并形成交叠区域;在相邻的两个所述电池片中,位于下方的所述电池片的所述第一隧穿层和所述第一掺杂多晶硅层设于所述交叠区域,且位于下方的所述电池片的第一主栅和位于上方的所述电池片的第二主栅在所述交叠区域重叠并电性连接。
10.一种光伏电池,其特征在于,包括如权利要求1-8任一项所述的叠瓦组件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的