[发明专利]叠瓦组件、叠瓦组件的制作方法以及光伏电池

说明书

本申请实施例公开了一种叠瓦组件、叠瓦组件的制作方法以及光伏电池，叠瓦组件包括至少两个电池片，相邻的两个电池片部分交叠并形成交叠区域，电池片包括衬底、第一隧穿层、第一掺杂多晶硅层和第一主栅，第一隧穿层设于衬底的第一表面，第一表面为受光面，第一掺杂多晶硅层设于第一隧穿层的背离衬底的一侧，第一主栅设于第一掺杂多晶硅层的背离第一隧穿层的一侧；在相邻的两个电池片中，位于下方的电池片的第一隧穿层、第一掺杂多晶硅层和第一主栅设于交叠区域。

技术领域

本申请涉及光伏领域，具体涉及一种叠瓦组件、叠瓦组件的制作方法以及光伏电池。

背景技术

在太阳能电池技术中，表面钝化是重点之一。目前技术成熟的PERC(PassivatedEmitter and Rear Cell，钝化发射器和后部接触)电池面临效率突破的瓶颈，金属电极接触硅衬底区域仍然存在较大复合。TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact SolarCell，隧穿氧化层钝化接触)电池采用隧穿层叠加掺杂多晶硅层的钝化结构，实现电极无需接触硅基底的钝化接触结构，减少了复合。但由于掺杂多晶硅存在较为严重的光寄生吸收，因此TOPCon电池片的受光面仍然使用传统的钝化结构，这存在一定效率的损失。

因此，亟需一种能够改善上述问题的技术方案。

发明内容

本申请实施例提供一种叠瓦组件、叠瓦组件的制作方法以及光伏电池，可以改善TOPCon电池片的受光面的主栅与硅衬底之间的复合严重的问题，且避免了多晶硅的寄生吸收问题。

本申请实施例提供一种叠瓦组件，包括至少两个电池片，相邻的两个所述电池片部分交叠并形成交叠区域，所述电池片包括：

衬底，具有第一表面，所述第一表面为受光面；

第一隧穿层，设于所述第一表面的局部；

第一掺杂多晶硅层，设于所述第一隧穿层的背离所述衬底的一侧；以及

第一主栅，设于所述第一掺杂多晶硅层的背离所述第一隧穿层的一侧；

其中，在相邻的两个所述电池片中，位于下方的所述电池片的所述第一隧穿层、所述第一掺杂多晶硅层和所述第一主栅设于所述交叠区域。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述第一主栅的宽度大于或等于0.2毫米。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述衬底还具有第二表面，所述第一表面和所述第二表面位于所述衬底的相对两侧，所述叠瓦组件还包括：

第二隧穿层，设于所述第二表面；

第二掺杂多晶硅层，设于所述第二隧穿层的背离所述衬底的一侧；

第二主栅，设于所述第二掺杂多晶硅层的背离所述第二隧穿层的一侧；

在相邻的两个所述电池片中，位于上方的所述电池片的第二主栅设于所述交叠区域中，位于下方的所述电池片的第一主栅和位于上方的所述电池片的第二主栅在所述交叠区域重叠并电性连接。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述衬底为N型硅衬底，所述第一掺杂多晶硅层为P型掺杂多晶硅层，所述第二掺杂多晶硅层为N型掺杂多晶硅层。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述叠瓦组件还包括导电胶，在相邻的两个所述电池片中，位于下方的所述电池片的所述第一主栅通过所述导电胶与位于上方的所述电池片的所述第二主栅电性连接。

可选的，在本申请的一些实施例中，所述电池片还包括：

第一钝化层，覆盖于所述第一表面和所述第一掺杂多晶硅层上，所述第一钝化层设有第一凹槽和第一通孔；

所述第一主栅覆盖于所述第一凹槽内，所述第一主栅通过所述第一凹槽与所述第一掺杂多晶硅层接触；