[发明专利]一种半导体设备及部件表面颗粒的检测方法

说明书

本发明涉及一种半导体设备及部件表面颗粒的检测方法，包括如下步骤：步骤一，将设备的零部件放置在固定的平台上，采用IPA溶液对零部件或者零部件的某一表面进行冲洗5‑10分钟，并收集冲洗后的液体，可重复进行多次；步骤二，用滴灌吸取3‑6ml冲洗后的液体，均匀地滴至滤膜上进行抽滤，其中滤膜材质为亲水的PTFE聚四氟乙烯；步骤三，抽滤结束后，将滤膜至于无尘烘箱内进行干燥；步骤四，滤膜烘干后，采用扫描电子显微镜和X射线能谱仪对颗粒的形貌和成分进行测试。本发明在通过对部件用IPA冲洗并采用滤膜过滤，将颗粒收集并进行等检测。过程简便，通过冲洗、过滤并烘干的处理，可直接对滤膜上的颗粒进行测试。无需对溶液内的颗粒进行消解处理。

技术领域

本发明涉及颗粒检测技术领域，具体涉及一种半导体设备及部件表面颗粒的检测方法。

背景技术

随着半导体集成电路行业的发展，线宽愈来愈向细微化发展，为了保证产品的成品率，对生产工艺和技术提出更高更难的要求。其中的颗粒污染，使得产品丧失应有的功能而成为废品。因此，有效的颗粒污染控制对成品率的提高至关重要。在生产过程中，颗粒污染有三个主要来源：生产环境、传递以及生产设备。不同污染源的颗粒其主要成分、形貌以及颗粒尺寸也不相同。目前，针对颗粒检测主要采用液体颗粒计数器对颗粒粒径进行检测，颗粒的成分主要以酸消解并辅助ICPMS进行测试，而直观简便的明确颗粒的具体的成分、形貌和尺寸的检测方法仍待探寻。

发明内容

针对现有技术存在的问题，本发明提供一种半导体设备及部件表面颗粒的检测方法，已解决上述至少一个技术问题。

本发明的技术方案是：一种半导体设备及部件表面颗粒的检测方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一，将设备的零部件放置在固定的平台上，采用IPA溶液对零部件或者零部件的某一表面进行冲洗5-10分钟，并收集冲洗后的液体，可重复进行多次；

步骤二，用滴灌吸取36ml冲洗后的液体，均匀地滴至滤膜上进行抽滤，其中滤膜材质为亲水的PTFE聚四氟乙烯；

步骤三，抽滤结束后，将滤膜至于无尘烘箱内进行干燥；

步骤四，滤膜烘干后，采用扫描电子显微镜和X射线能谱仪对颗粒的形貌和成分进行测试。

本发明在通过对部件用IPA冲洗并采用滤膜过滤，将颗粒收集并进行等检测。过程简便，通过冲洗、过滤并烘干的处理，可直接对滤膜上的颗粒进行测试。无需对溶液内的颗粒进行消解处理；一次测试成功率高，并且具有一定的可重复性；可以依次对存在于滤膜上的单一颗粒的成分、尺寸和形貌进行测试，有利于设备或部件的厂商寻找颗粒的污染来源。

进一步优选，所述滤膜为圆形滤膜，且所述滤膜的直径为50mm，所述滤膜上的过滤孔孔径在0.2μm-0.68μm之间。可根据需要选择其他孔径进行过滤。

进一步优选，所述滤膜是方形滤膜，且所述滤膜的边长为50mm。

进一步优选，所述滤膜上的过滤孔孔径为0.45μm。

进一步优选，所述无尘烘箱内温度设定为40-50℃，干燥时间10-20分钟。

进一步优选，所述无尘烘箱的底部增加有一震动台。从而可以在烘干过程中增加滤膜上下摇动及转动，来保证烘干的均匀性。

进一步优选，所述扫描电子显微镜的工作距离为6-11mm，电压为5-10kv。

附图说明

图1是本发明的实施例分析结果示意图；

图2是本发明的实施例分析结果示意图；

图3是本发明的实施例分析结果示意图；

图4是本发明的实施例分析结果示意图。

具体实施方式