[发明专利]一种氧化铈纳米颗粒的合成方法及其应用于浅沟槽隔离的化学机械抛光的组合物

说明书

本发明公开了一种氧化铈纳米颗粒的合成方法及其应用于浅沟槽隔离(STI)的化学机械抛光(CMP)的组合物，所述组合物包括：氧化铈纳米颗粒、有机添加剂及超纯水。本发明公开的CeOsubgt;2/subgt;纳米颗粒的合成方法是首先通过沉淀法制备前驱体，然后用熔盐法进行焙烧处理直接获得纳米级颗粒。该方法的合成温度低，不需研磨可直接获得纳米颗粒，颗粒在水溶液中具有良好的分散性。基于此方法的CeOsubgt;2/subgt;纳米颗粒配制的应用于浅沟槽隔离(STI)的化学机械抛光(CMP)的组合物性能优异，具有非常重要的现实意义。

技术领域

本发明属于半导体抛光技术领域，涉及一种氧化铈纳米颗粒的合成方法及应用于浅沟槽隔离的化学机械抛光的组合物。

背景技术

集成电路按照摩尔定律发展至今，已经进入到纳米时代。由于微小化和性能方面的影响，一些传统的器件结构的隔离技术已经由传统的本征氧化隔离技术转变为浅沟槽隔离技术。STI中的化学机械抛光技术被誉为是当今时代能实现集成电路制造中晶圆表面全局平坦化的目前唯一技术，其效果直接影响到芯片最终的质量和成品率。抛光液作为CMP系统的组成部分之一，是影响化学机械抛光质量和抛光效率的关键因素，它是由研磨颗粒与其它添加剂的组合物。其中，研磨颗粒又是抛光液最主要的组成部分，它的尺寸形貌的均匀性对化学机械抛光性能有着直接影响。其中CeO₂因为具有高的化学活性和较好的机械摩擦性能，所以是抛光效率优异的研磨颗粒之一。然而，现有报道中，氧化铈纳米颗粒的制备方法周期长(如专利108249469A)、颗粒团聚、尺寸不均匀等问题，且现有合成方法在化学活性和机械性能及成本方面难以平衡(如专利106928860A)。因此，开发一种合成方法简单、尺寸可控、高选择比、抛光性能优异的CeO₂纳米颗粒的合成方法及应用于浅沟槽隔离的化学机械抛光的组合物，具有非常重要的现实意义。

发明内容

针对目前存在的问题，本发明的目的在于提供一种氧化铈纳米颗粒的合成方法及应用于浅沟槽隔离的化学机械抛光的组合物，具有合成方法简单、尺寸可控、高选择比、抛光性能优异的优点。

为了实现上述目的，本发明采用以下技术方案予以实现：

一种氧化铈纳米颗粒的合成方法及其应用于浅沟槽隔离的化学机械抛光的组合物，包括以下步骤：

首先，按照摩尔比称取铈源和沉淀剂，分别溶于超纯水中搅拌均匀得到铈源溶液和沉淀剂溶液，再向铈源溶液中加入有机添加剂，搅拌混合后，将铈源溶液缓慢滴加到沉淀剂溶液中，搅拌均匀，用超纯水进行过滤，然后进行干燥处理后，在研钵中进行研磨得到前驱体。然后，按照摩尔比称取前驱体和熔盐，在坩埚中混合均匀后，进行焙烧处理，从室温程序升温至焙烧温度，保温2～4h，然后冷却到室温，将产物用超纯水过滤洗涤干燥，获得的沉淀即为CeO₂颗粒。最后，对所得氧化铈颗粒进行超声分散并调节pH到6.0，将固含量调节到0.5wt％，配制成应用于浅沟槽隔离的化学机械抛光的组合物。

优选的，所述的铈源与沉淀剂的摩尔比为1:(3～10)。

优选的，所述的铈源为六水合硝酸铈、六水合氯化铈、硝酸铈铵中的任一种。

优选的，所述的铈源的摩尔浓度为0.003～0.006mol。

优选的，所述的沉淀剂为氢氧化钠、氢氧化钾、碳酸氢铵、碳酸铵、草酸钾、草酸钠、碳酸钠中的任一种。

优选的，所述的沉淀剂的摩尔浓度为0.009～0.06mol。

优选的，所述的有机添加剂为氨基三亚甲基膦酸、三乙基己基磷酸、十二烷基二甲基苄基氯化铵、壬基酚聚氧乙烯醚中的一种。

优选的，所述的有机添加剂的摩尔浓度为0.004～0.010mol。

优选的，焙烧温度为600～700℃。