[发明专利]表膜和表膜组件

说明书

一种适合与用于光刻设备的图案形成装置一起使用的表膜。所述表膜包括至少一个破裂区域，配置成在光刻设备中的正常使用期间在表膜的剩余区域破裂之前优先破裂。至少一个破裂区域包括表膜的在与表膜的周围区域相比时具有减小的厚度的区域。

本申请是国际申请PCT/EP2016/079599于2016年12月2日进入中 国国家阶段、申请号为201680082151.3的发明申请的分案申请。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2015年12月17日提交的EP申请15200767.0、2016 年4月27日提交的美国申请62/328,291以及2016年7月22日提交的 美国申请62/365,524的优先权，这些申请的内容在此通过引用全文并入 本文中。

技术领域

本发明涉及表膜和表膜组件。表膜组件可以包括表膜和用于支撑表 膜的框架。表膜可适用于与光刻设备的图案形成装置一起使用。本发明 具体但非排他性地与EUV光刻设备和EUV光刻工具结合使用。

背景技术

光刻设备是一种将所期望的图案施加到衬底上的机器。例如，光刻 设备可以用于集成电路(IC)的制造中。光刻设备可例如将来自图案形 成装置(例如，掩模)的图案投影到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗 蚀剂)层上。

光刻设备用于将图案投影到衬底上所使用的辐射波长确定了可以 在该衬底上形成的特征的最小尺寸。使用EUV辐射(具有在4-20nm范 围内的波长的电磁辐射)的光刻设备可用于在衬底上形成比常规光刻设 备(所述常规光刻设备可以例如使用波长为193nm的电磁辐射)更小 的特征。

可以使用图案形成装置在光刻设备中将图案赋予辐射束。可以通过 表膜保护图案形成装置免受颗粒污染物。表膜可以由表膜框架支撑。

在光刻术中使用的表膜是公知的并且是公认的。DUV光刻设备中 的典型表膜是隔膜，所述隔膜远离图案形成装置并且在使用中位于光刻 设备的焦平面之外。因为表膜在光刻设备的焦平面之外，所以落在表膜 上的污染物颗粒在光刻设备中焦点未对准或失焦。因此，污染物颗粒的 图像不会投影到衬底上。如果表膜不存在，那么落在图案形成装置上的污染物颗粒将被投影到衬底上并将缺陷引入被投影的图案中。

可能期望在EUV光刻设备中使用表膜。EUV光刻术与DUV光刻 术的不同之处是EUV光刻术典型地在真空中执行，并且图案形成装置 是典型地反射式的，而不是透射式的。

可能期望提供克服或缓解与现有技术相关联的问题的表膜和表膜 组件。在此描述的本发明的实施例可以用在EUV光刻设备中。本发明 的实施例也可以用在DUV光刻设备或其他形式的光刻设备中。

发明内容

根据本发明的第一方面，提供了一种适合与用于光刻设备的图案形 成装置一起使用的表膜，所述表膜包括至少一个破裂区域，所述至少一 个破裂区域被配置成在光刻设备中的正常使用期间在表膜的剩余区域 破裂之前优先破裂。

在表膜中包括破裂区域有利于允许预先确定首先破裂的表膜上的 位置。表膜的破裂区域可以在结构上弱于表膜的周围部分。破裂区域可 以配置成使得表膜以受控的方式破裂，这限制了任何表膜碎片对周围环 境的污染。附加地或替代地，破裂区域提供表膜的可以监测表膜即将发 生故障的标志的区域。破裂区域的破裂可以指示表膜的其余部分将很快 发生故障，并且当检测到时，可以对表膜采取行动以从操作中移除表膜。

所述至少一个破裂区域可以包括所述表膜的当与所述表膜的周围 区域相比时具有减小的厚度的区域。

所述至少一个破裂区域可以包括所述表膜的已暴露于辐射的区域， 以便在与所述表膜的剩余区域相比时在结构上使所述破裂区域变弱。

所述至少一个破裂区域可包括所述表膜的其中形成一个或更多个 孔和/或裂缝的区域。