[发明专利]存储器装置及其操作方法、存储器系统

权利要求书

1.一种存储器装置，其特征在于，包括：

存储器单元阵列，包括多个页，每个所述页包括多个存储器单元；

外围电路，耦合至所述存储器单元阵列；所述外围电路被配置为：

对所述多个页中选择的页的存储器单元进行编程操作；在执行所述编程操作的过程中，对所述选择的页所耦合的字线施加第一编程脉冲和第一验证脉冲；在所述第一验证脉冲施加的第一时刻，检测所述选择的页的第一失效位计数；以及，

根据所述第一失效位计数与第一预设值的比较结果，确定是否对所述字线施加第二编程脉冲，所述第二编程脉冲对应的电平高于所述第一编程脉冲对应的电平；所述第一预设值用于表征在所述第一编程脉冲后，所述选择的页中未达到目标编程态的所述存储器单元的边界个数。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述外围电路还被配置为：

在所述第一失效位计数小于或等于所述第一预设值时，不对所述字线施加第二编程脉冲，所述编程操作的编程阶段和验证阶段结束。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其特征在于，所述外围电路还被配置为：

在所述第一失效位计数大于所述第一预设值时，对所述字线施加第二编程脉冲。

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其特征在于，所述外围电路还被配置为：

在所述第一验证脉冲施加的第二时刻，检测所述选择的页的第二失效位计数；所述第二时刻早于所述第一时刻；以及，

在施加所述第二编程脉冲的过程中，根据所述第二失效位计数与第二预设值的比较结果，确定是否对所述字线施加第二验证脉冲；所述第二预设值用于表征在检测所述第二失效位计数时，所述选择的页中未达到目标编程态的所述存储器单元的边界个数。

5.根据权利要求4所述的存储器装置，其特征在于，所述外围电路还被配置为：

在所述第二失效位计数小于或等于所述第二预设值时，不对所述字线施加第二验证脉冲，所述编程操作的编程阶段和验证阶段结束；

在所述第二失效位计数大于所述第二预设值时，对所述字线施加第二验证脉冲，所述编程操作的编程阶段和验证阶段结束。

6.根据权利要求4所述的存储器装置，其特征在于，所述外围电路中包括第一锁存器和第二锁存器；其中，所述第一锁存器至少用于存储检测的所述第二失效位计数，所述第二锁存器至少用于存储检测的所述第一失效位计数。

7.根据权利要求2或5所述的存储器装置，其特征在于，所述外围电路还被配置为：

在所述编程操作的编程阶段和验证阶段结束后，对所述选择的页所耦合的字线施加恢复脉冲。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的存储器装置，其特征在于，所述存储器单元存储的位数包括一位。

9.一种存储器系统，其特征在于，包括：如权利要求1至8中任一项所述的存储器装置；以及

存储器控制器；所述存储器控制器耦合至所述存储器装置，且用于控制所述存储器装置。

10.一种存储器装置的操作方法，其特征在于，所述存储器装置包括：多个页，每个所述页包括多个存储器单元；所述操作方法包括：

对所述多个页中选择的页的存储器单元进行编程操作；在执行所述编程操作的过程中，对所述选择的页所耦合的字线施加第一编程脉冲和第一验证脉冲；在所述第一验证脉冲施加的第一时刻，检测所述选择的页的第一失效位计数；以及，

根据所述第一失效位计数与第一预设值的比较结果，确定是否对所述字线施加第二编程脉冲，所述第二编程脉冲对应的电平高于所述第一编程脉冲对应的电平；所述第一预设值用于表征在所述第一编程脉冲后，所述选择的页中未达到目标编程态的所述存储器单元的边界个数。