[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：

第一有源图案，在第一水平方向上延伸；

第二有源图案，在第一水平方向上延伸并且在第一水平方向上与第一有源图案间隔开；

第三有源图案，在第一水平方向上延伸并且在不同于第一水平方向的第二水平方向上与第一有源图案间隔开；

第四有源图案，在第一水平方向上延伸并且在第一水平方向上与第三有源图案间隔开；

场绝缘层，围绕第一有源图案至第四有源图案中的每个的侧壁；

第一多个纳米片、第二多个纳米片、第三多个纳米片和第四多个纳米片，分别设置在第一有源图案至第四有源图案上；

第一栅电极，在第二水平方向上延伸，与第一有源图案和第三有源图案中的每个相交，并且围绕第一多个纳米片和第三多个纳米片中的每个；以及

第二栅电极，在第二水平方向上延伸，与第二有源图案和第四有源图案中的每个相交，并且围绕第二多个纳米片和第四多个纳米片中的每个，其中：

第一有源图案和第二有源图案之间的在第一水平方向上的第一节距小于第三有源图案和第四有源图案之间的在第一水平方向上的第二节距，并且

第一栅电极的至少一部分设置在场绝缘层的在第三有源图案和第四有源图案之间的部分上。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第一多个纳米片与第二多个纳米片之间的在第一水平方向上的第三节距小于第三多个纳米片与第四多个纳米片之间的在第一水平方向上的第四节距。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，设置在第一有源图案和第二有源图案之间的场绝缘层在第一水平方向上的第一宽度小于设置在第三有源图案和第四有源图案之间的场绝缘层在第一水平方向上的第二宽度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第二栅电极的至少一部分设置在第三有源图案和第四有源图案之间的场绝缘层上。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第二栅电极不设置在第三有源图案和第四有源图案之间的场绝缘层上。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第二栅电极不设置在第一有源图案和第二有源图案之间的场绝缘层上。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，第一栅电极不设置在第一有源图案和第二有源图案之间的场绝缘层上。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第一栅电极的至少一部分设置在第一有源图案和第二有源图案之间的场绝缘层上。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，第二栅电极的至少一部分设置在第一有源图案和第二有源图案之间的场绝缘层上。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，第一有源图案和第二有源图案设置在NMOS区域中，并且第三有源图案和第四有源图案设置在PMOS区域中。