[发明专利]掩膜组件及LED芯片的制备方法

权利要求书

1.一种掩膜组件，其特征在于，包括：

载片台，所述载片台上设置有多个载片槽，所述载片槽用于承载晶圆，每个所述载片槽的周围环绕设置有一个盖片槽，所述盖片槽的深度小于所述载片槽的深度；

多个盖片，所述盖片与所述盖片槽一一对应，所述盖片上设置有阵列排布的多个第一开孔，所述第一开孔的上顶直径小于所述第一开孔的下底直径，所述盖片用于在所述载片槽承载所述晶圆后，放置在所述盖片槽中，盖住所述晶圆，以作为掩膜版，在所述晶圆上沉积预设膜层时，通过所述盖片上阵列排布的多个第一开孔，在所述晶圆上形成阵列排布的多个类三棱锥形的微结构；

盖板，所述盖板上设置有多个第二开孔，所述第二开孔与所述盖片槽一一对应，所述第二开孔的直径小于所述盖片的直径，且大于所述载片槽的直径，所述盖板用于在所述晶圆上沉积预设膜层时，压住所述盖片，防止所述盖片移动。

2.根据权利要求1所述的掩膜组件，其特征在于，所述第一开孔的上顶直径D1、所述第一开孔的下底直径D2、所述盖片的厚度T1以及在所述晶圆上形成的所述微结构的厚度T2之间的对应关系满足：K1*D2/D1＝T1/T2，其中，K1为固定系数。

3.根据权利要求1所述的掩膜组件，其特征在于，所述盖片为蓝宝石盖片或石英盖片。

4.根据权利要求3所述的掩膜组件，其特征在于，所述盖片上的多个第一开孔通过激光打孔工艺所形成。

5.根据权利要求1所述的掩膜组件，其特征在于，所述载片台为等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)机台的载片台。

6.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：

提供晶圆，所述晶圆包括衬底和位于所述衬底上的外延叠层，所述外延叠层包括沿背离所述衬底的方向依次排布的第一型半导体层、多量子阱层和第二型半导体层，所述第二型半导体层和所述多量子阱层裸露部分所述第一型半导体层而形成台面；

将所述晶圆放置在等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)机台的载片台上设置的载片槽中，所述载片台上设置有多个所述载片槽，所述载片槽用于承载晶圆，每个所述载片槽的周围设置有一个盖片槽，所述盖片槽的深度小于所述载片槽的深度；

在所述盖片槽中对应放置一个盖片，盖住所述晶圆，所述盖片与所述盖片槽一一对应，所述盖片上设置有阵列排布的多个第一开孔，所述第一开孔的上顶直径小于所述第一开孔的下底直径；

在所述载片台上放置盖板，所述盖板上设置有多个第二开孔，所述第二开孔与所述盖片槽一一对应，所述第二开孔的直径小于所述盖片的直径，且大于所述载片槽的直径，使得所述盖板压住所述盖片，防止所述盖片移动；

以所述盖片为掩膜版，在所述晶圆上沉积预设膜层，通过所述盖片上阵列排布的多个第一开孔，在所述晶圆上形成阵列排布的多个类三棱锥形的微结构；

利用正性光刻胶作掩膜，去除所述晶圆上除所述第二型半导体层背离所述衬底的表面之外的其他区域上的类三棱锥形的微结构，从而在所述第二型半导体层背离所述衬底的表面上形成具有阵列排布的多个类三棱锥形的微结构，使得所述第二型半导体层背离所述衬底的表面为粗化表面；

在所述台面上形成第一电极，并在具有阵列排布的多个类三棱锥形的微结构的第二型半导体层背离所述衬底的一侧形成第二电极。

7.根据权利要求6所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，在形成所述第一电极和所述第二电极之前，该方法还包括：

在具有阵列排布的多个类三棱锥形的微结构的第二型半导体层背离所述衬底的一侧形成透明导电层，并对所述透明导电层进行高温退火，使得所述透明导电层透过不同微结构之间的间隙与所述第二型半导体层形成欧姆接触。

8.根据权利要求6所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述预设膜层为SiO₂膜层。

9.根据权利要求6所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述LED芯片为正装LED芯片。

10.根据权利要求9所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，所述第一型半导体层为N型GaN层，所述第二型半导体层为P型GaN层。