[发明专利]掩膜组件及LED芯片的制备方法

说明书

本申请公开了一种掩膜组件及一种LED芯片的制备方法，通过设计包括载片台、多个盖片以及盖板的掩膜组件，将晶圆放置在载片台的载片槽中，并在载片槽周围环绕设置的盖片槽中放置盖片，使得盖片覆盖晶圆，同时盖片被盖板压住以防止移动，从而在晶圆上沉积预设膜层时，以盖片为掩膜版，通过盖片上阵列排布的多个第一开孔，在晶圆上形成阵列排布的多个类三棱锥形的微结构，使得晶圆表面为粗化表面，而不会对晶圆中的半导体层产生损伤，可适用于对正装LED芯片表面进行粗化，且不会造成其较薄的P型半导体层的损伤，并无需额外的制备工序，不增加制作成本，提高正装LED芯片的发光效率。

技术领域

本申请涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种掩膜组件及一种LED芯片的制备方法。

背景技术

随着半导体技术的发展，发光二极管(Light-Emitting Diode，LED)已经广泛地应用于我们生产和生活中的各个领域。为了追求LED芯片的高光效，可以采用增大LED芯片的发光面积、优化外延工艺或者采用对LED芯片表面进行粗化以增加出光效率等手段，其中，采用对LED芯片表面进行粗化以增加出光效率对提高LED芯片的发光效率有明显效果。

对于垂直结构的LED芯片，由于其通常从N面出光，而N型半导体层比较厚，因此，比较适用于采用对LED芯片表面进行粗化以增加出光效率来提高LED芯片的发光效率，但对于正装结构的LED芯片，由于其通常从P面出光，而P型半导体层(如P型GaN层)厚度较薄，通常为100多纳米，因此，如果直接对正装结构的LED芯片表面进行粗化，很容易造成其较薄的P型半导体层的损伤，影响LED芯片的性能。

发明内容

为解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种掩膜组件以及一种LED芯片的制备方法，以利用该掩膜组件，对正装LED芯片表面进行粗化，且不会造成其较薄的P型半导体层的损伤，从而提高正装LED芯片的发光效率。

为实现上述目的，本申请实施例提供了如下技术方案：

一种掩膜组件，包括：

载片台，所述载片台上设置有多个载片槽，所述载片槽用于承载晶圆，每个所述载片槽的周围环绕设置有一个盖片槽，所述盖片槽的深度小于所述载片槽的深度；

多个盖片，所述盖片与所述盖片槽一一对应，所述盖片上设置有阵列排布的多个第一开孔，所述第一开孔的上顶直径小于所述第一开孔的下底直径，所述盖片用于在所述载片槽承载所述晶圆后，放置在所述盖片槽中，盖住所述晶圆，以作为掩膜版，在所述晶圆上沉积预设膜层时，通过所述盖片上阵列排布的多个第一开孔，在所述晶圆上形成阵列排布的多个类三棱锥形的微结构；

盖板，所述盖板上设置有多个第二开孔，所述第二开孔与所述盖片槽一一对应，所述第二开孔的直径小于所述盖片的直径，且大于所述载片槽的直径，所述盖板用于在所述晶圆上沉积预设膜层时，压住所述盖片，防止所述盖片移动。

可选的，所述第一开孔的上顶直径D1、所述第一开孔的下底直径D2、所述盖片的厚度T1以及在所述晶圆上形成的所述微结构的厚度T2之间的对应关系满足：K1*D2/D1＝T1/T2，其中，K1为固定系数。

可选的，所述盖片为蓝宝石盖片或石英盖片。

可选的，所述盖片上的多个第一开孔通过激光打孔工艺所形成。

可选的，所述载片台为等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)机台的载片台。

一种LED芯片的制备方法，包括：

提供晶圆，所述晶圆包括衬底和位于所述衬底上的外延叠层，所述外延叠层包括沿背离所述衬底的方向依次排布的第一型半导体层、多量子阱层和第二型半导体层，所述第二型半导体层和所述多量子阱层裸露部分所述第一型半导体层而形成台面；