[发明专利]闪存器件的电容测试结构及其制备方法

权利要求书

1.一种闪存器件的电容测试结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤1)提供一半导体结构，所述半导体结构分为存储器件区、电容测试区及外围器件区，且所述半导体结构包括衬底及依次形成于所述衬底上的浮栅氧化层、浮栅多晶硅层、栅间介质层及控制栅多晶硅层；

步骤2)去除形成于所述外围器件区的所述浮栅多晶硅层、所述栅间介质层、所述控制栅多晶硅层及所述浮栅氧化层以漏出所述衬底，并于其表面形成外围栅氧化层及外围栅极多晶硅层；

步骤3)刻蚀形成于所述存储器件区的所述浮栅多晶硅层、所述栅间介质层及所述控制栅多晶硅层以形成存储器件单元，且所述存储器件单元与所述电容测试区之间具有间隔；

步骤4)刻蚀所述外围栅极多晶硅层以形成外围多晶硅栅，且所述外围多晶硅栅与所述电容测试区之间具有间隔，并同步刻蚀所述电容测试区边缘处预设宽度的所述控制栅多晶硅层及其下方预设厚度的所述栅间介质层以形成电容测试结构的下极板，此时，所述电容测试区的所述控制栅多晶硅层为所述电容测试结构的上极板。

2.根据权利要求1所述的闪存器件的电容测试结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构包括字线多晶硅及定义氧化层，其中，所述浮栅多晶硅层、所述栅间介质层及所述控制栅多晶硅层形成于所述字线多晶硅的两侧，所述定义氧化层形成于所述存储器件区的所述控制栅多晶硅层及所述字线多晶硅的表面，用于定义控制栅的范围。

3.根据权利要求1所述的闪存器件的电容测试结构的制备方法，其特征在于，所述半导体结构还包括浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构用于隔离所述存储器件区、所述电容测试区及所述外围器件区。

4.根据权利要求1所述的闪存器件的电容测试结构的制备方法，其特征在于，在执行步骤2)之前，所述方法包括于所述控制栅多晶硅层的表面形成硬掩膜层的步骤，所述硬掩膜层用于在执行步骤2)时保护所述存储器件区及所述电容测试区。

5.根据权利要求4所述的闪存器件的电容测试结构的制备方法，其特征在于，在执行步骤3)之前，所述方法包括将所述硬掩膜层去除的步骤。

6.根据权利要求1所述的闪存器件的电容测试结构的制备方法，其特征在于，在步骤4)中，刻蚀所述电容测试区靠近所述存储器件区一侧预设宽度的所述控制栅多晶硅层及其下方所述预设厚度的所述栅间介质层以形成所述电容测试结构的所述下极板。

7.根据权利要求6所述的闪存器件的电容测试结构的制备方法，其特征在于，在执行步骤4)之前，所述方法包括于步骤3)所形成结构的表面形成掩膜层，并对其进行图案化处理的步骤。

8.根据权利要求1所述的闪存器件的电容测试结构的制备方法，其特征在于，所述方法还包括于所述上极板及所述下极板的表面形成接触孔的步骤。

9.根据权利要求1所述的闪存器件的电容测试结构的制备方法，其特征在于，所述栅间介质层包括ONO结构，所述ONO结构包括底部氧化层、中间氮化层及顶部氧化层，其中，所述中间氮化层形成于所述底部氧化层与所述顶部氧化层之间，此时，在步骤4)中，刻蚀所述预设厚度的所述栅间介质层时，刻蚀去除所述顶部氧化层及所述中间氮化层并停在所述底部氧化层上。

10.根据权利要求1所述的闪存器件的电容测试结构的制备方法，其特征在于，所述栅间介质层包括氧化层，此时，在步骤4)中，刻蚀所述预设厚度的所述栅间介质层时，需保证所述栅间介质层不被完全刻蚀掉。

11.一种闪存器件的电容测试结构，其特征在于，所述闪存器件的电容测试结构是利用如权利要求1～10任一项所述的制备方法制备而成。