[发明专利]电源噪声抑制电路及相应的电流数控振荡器和电子设备

权利要求书

1.一种面向电流数控振荡器的电源噪声抑制电路，包括自偏置电流源、电流镜像单元和负载输出单元，特征在于还包括噪声反馈单元和噪声感知单元；其中，

所述自偏置电流源为所述噪声反馈单元提供第一路电源端噪声所引起电压波动的采样电压；

所述噪声感知单元为所述噪声反馈单元提供第二路电源端噪声所引起电压波动的采样电压；

所述噪声反馈单元将两路输入采样电压中的噪声波动电压进行抵消处理，并输出稳定电流；

所述电流镜像单元将所述稳定电流进行电流镜像复制，输出至所述负载输出单元；

所述负载输出单元为负载电路提供稳定的输出电流。

2.如权利要求1所述的面向电流数控振荡器的电源噪声抑制电路，其特征在于：

所述自偏置电流源单元由第一PMOS管(M0)、第二PMOS管(M 1)、第一NMOS管(M2)和第一电阻(R1)组成；其中，第一PMOS管(M0)的源极与电源端VDD连接，第一PMOS管(M0)的栅极与漏极短接后与第二PMOS管(M1)的栅极连接；第一PMOS管(M0)的漏极与第一NMOS管(M2)的漏极连接，第一NMOS管(M2)的源极与地电位端GND连接，第一NMOS管(M2)的栅极与所述噪声反馈单元中的第二NMOS管(M3)的栅极及第一运算放大器的输出端连接；第一电阻(R1)与电源端VDD连接，第一电阻(R1)的另一端与第二PMOS管(M1)的源极连接，第二PMOS管(M1)的漏极及所述噪声反馈单元中的第二NMOS管(M3)的漏极及第一运算放大器的同相输入端连接。

3.如权利要求1所述的面向电流数控振荡器的电源噪声抑制电路，其特征在于：

所述电流镜像单元由第三PMOS管(M5)和第三NMOS管(M4)组成；其中，第三NMOS管(M4)的栅极与所述噪声反馈单元中的第二NMOS管(M3)的栅极及第一运算放大器的输出端连接；第三NMOS管(M4)的源极与地电位端GND连接，第三NMOS管(M4)的漏极与第三PMOS管(M5)的漏极连接，第三PMOS管(M5)的源极与电源端VDD连接，第三PMOS管(M5)的栅极与漏极短接后与所述负载输出单元中的第五PMOS管(M9)的栅极连接。

4.如权利要求1所述的面向电流数控振荡器的电源噪声抑制电路，其特征在于：

所述负载输出单元由第五PMOS管(M9)和负载电路(即电流数控振荡器)构成；其中，第五PMOS管(M9)的栅极与电流镜像单元中的第三PMOS管(M5)的栅极连接，第五PMOS管(M9)的源极与电源端VDD连接，第五PMOS管(M9)的漏极作为输出端与负载电路连接。

5.如权利要求1所述的面向电流数控振荡器的电源噪声抑制电路，其特征在于：

所述噪声反馈单元由第二NMOS管(M3)和第一运算放大器组成；其中，第二NMOS管(M3)的源极与地电位端GND连接，第二NMOS管(M3)的漏极与第一运算放大器的同相输入端及所述自偏置电流源中的第二PMOS管(M 1)的漏极连接；第二NMOS管(M3)的栅极与第一运算放大器的输出端及所述自偏置电流源中的第一NMOS管(M2)的栅极连接，同时，第一运算放大器的输出端还与所述电流镜像单元中的第三NMOS管(M4)的栅极连接，第一运算放大器的反相输入端与所述噪声感知单元中的第四PMOS管(M6)的漏极连接。

6.如权利要求1所述的面向电流数控振荡器的电源噪声抑制电路，其特征在于：

所述噪声感知单元由第四PMOS管(M6)、第四NMOS管(M7)和第五NMOS管(M8)组成；其中，第四PMOS管(M6)的源极与电源端连接，第四PMOS管(M6)的栅极与漏极短接后一方面与第四NMOS管(M7)的漏极连接，另一方面与所述噪声反馈单元中的第一运算放大器的反相输入端连接，第四NMOS管(M7)的源极与第五NMOS管(M8)的漏极连接，第五NMOS管(M8)的源极与地电位端GND连接，第五NMOS管(M8)的栅极与偏置电压端VB 1连接，第四NMOS管(M7)的栅极与偏置电压端VB2连接。