[发明专利]电源噪声抑制电路及相应的电流数控振荡器和电子设备

说明书

本发明公开了一种电源噪声抑制电路及相应的电流数控振荡器和电子设备。该电源噪声抑制电路包括自偏置电流源、噪声反馈单元、电流镜像单元、噪声感知单元和负载输出单元；其中，自偏置电流源为噪声反馈单元提供第一路电源端噪声所引起电压波动的采样电压；噪声感知单元为噪声反馈单元提供第二路电源端噪声所引起电压波动的采样电压；噪声反馈单元将两路输入采样电压中的噪声波动电压进行抵消处理，并输出稳定电流；电流镜像单元将稳定电流进行电流镜像复制，输出至负载输出单元；负载输出单元为负载电路提供稳定的输出电流。本发明有效抑制了电源噪声，使电流数控振荡器能够满足系统性能的要求。

技术领域

本发明涉及一种面向电流数控振荡器的电源噪声抑制电路，同时也涉及采用该电源噪声抑制电路的电流数控振荡器及相应的电子设备，属于电子振荡器技术领域。

背景技术

在电流数控振荡器中，自偏置电流源是其重要的组成部分。传统的自偏置电流源在电源端电压受噪声影响后，会产生电压波动并经过电流镜像传递给负载电路(即电流数控振荡器)，使负载电路产生一定的电流波动，这对于有较高分辨率需求的电流数控振荡器来说是一个严重问题。因此，研发一种具有较高电源噪声抑制功能的电流数控振荡器电源电路，就成为了一个非常必要的技术课题。

在授权公告号为CN 106230384B的中国发明专利中，公开了一种可编程的低噪声压控振荡器，包括偏置电路、数控电流舵组和电流控制振荡器；所述偏置电路与数控电流舵组连接，数控电流舵组与电流控制振荡器连接。其中，偏置电路包括NMOS管NM1、NM2和PMOS管PM1、PM2，其中NMOS管NM1和NM2构成电流镜。该电流控制振荡器的振荡单元由两个PMOS管和两个NMOS管叠加组成反相器构成，可有效抑制来自电源的噪声，同时采用了级联反相器输出以降低压控振荡器内部噪声对输出信号的影响，提高振荡器的噪声性能。

发明内容

本发明所要解决的首要技术问题在于提供一种面向电流数控振荡器的电源噪声抑制电路。

本发明所要解决的另一技术问题在于提供一种采用上述电源噪声抑制电路的电流数控振荡器。

本发明所要解决的另一技术问题在于提供一种采用上述电流数控振荡器的电子设备。

为了实现上述目的，本发明采用下述的技术方案：

根据本发明实施例的第一方面，提供一种面向电流数控振荡器的电源噪声抑制电路，包括自偏置电流源、电流镜像单元、负载输出单元、噪声反馈单元和噪声感知单元；其中，

自偏置电流源为噪声反馈单元提供第一路电源端噪声所引起电压波动的采样电压；

噪声感知单元为噪声反馈单元提供第二路电源端噪声所引起电压波动的采样电压；

噪声反馈单元将两路采样电压中的噪声波动电压进行抵消处理，并输出稳定电流；

电流镜像单元将所述稳定电流进行电流镜像复制，输出至负载输出单元；

所述负载输出单元为负载电路提供稳定的输出电流。

其中较优地，所述自偏置电流源单元由第一PMOS管M0、第二PMOS管M1、第一NMOS管M2和第一电阻R1组成；其中，第一PMOS管M0的源极与电源端VDD连接，第一PMOS管M0的栅极与漏极短接后与第二PMOS管M1的栅极连接；第一PMOS管M0的漏极与第一NMOS管M2的漏极连接，第一NMOS管M2的源极与地电位端GND连接，第一NMOS管M2的栅极与所述噪声反馈单元中的第二NMOS管M3的栅极及第一运算放大器的输出端连接；第一电阻R1与电源端VDD连接，第一电阻R1的另一端与第二PMOS管M1的源极连接，第二PMOS管M1的漏极及所述噪声反馈单元中的第二NMOS管M3的漏极及第一运算放大器的同相输入端连接。