[发明专利]高速率探测器芯片的TO-CAN封装方法及装置

权利要求书

1.一种高速率探测器芯片的TO-CAN封装方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1，将TIA芯片倒装贴装在陶瓷基板上，并使所述TIA芯片的所有接地管脚均与所述陶瓷基板的GND金属圈电连接，同时使所述TIA芯片上除接地管脚外的部分管脚与所述陶瓷基板上的部分金属区一一对应电连接；TIA芯片仅IN管脚采用金线与探测器芯片连接，其他管脚均直接与陶瓷基板接触式电连接；

S2，在贴装和电连接完毕后，再将所述陶瓷基板共晶焊接在TO底座上，并使得所述陶瓷基板上的部分金属区与所述TO底座上的部分管脚一一对应电连接；

S3，接着将探测器芯片贴装在所述TIA芯片上，并使所述探测器芯片的正极与所述TIA芯片上IN管脚电连接，同时使所述探测器芯片的负极与所述陶瓷基板上对应的金属区电连接。

2.如权利要求1所述的高速率探测器芯片的TO-CAN封装方法，其特征在于：所述陶瓷基板的VCC金属区、Vout+金属区、Vout-金属区以及Reset金属区均设有金属延长区，以增大金属区范围；所述TIA芯片上除所述接地管脚外的部分管脚均与对应陶瓷基板的金属延长区直接接触式电连接，与所述GND金属圈线路隔绝。

3.如权利要求2所述的高速率探测器芯片的TO-CAN封装方法，其特征在于：所述陶瓷基板的VCC金属区的金属延长区内设置有电阻或电容，使得陶瓷基板VCC金属区和对应的金属延长区之间根据阻抗匹配需求可选择性的串联电容或者电阻。

4.如权利要求1所述的高速率探测器芯片的TO-CAN封装方法，其特征在于：还包括与所述TO底座连接的多根接地立柱，各所述接地立柱与所述GND金属圈连接，所述接地立柱的高度控制在使所述陶瓷基板的底面与管脚平齐。

5.如权利要求1所述的高速率探测器芯片的TO-CAN封装方法，其特征在于：所述TIA芯片的VCC管脚、Vout+管脚、Vout-管脚和Reset管脚在所述TIA芯片的下表面，所述TIA芯片的IN管脚在所述TIA芯片的上表面。

6.如权利要求1所述的高速率探测器芯片的TO-CAN封装方法，其特征在于：所述陶瓷基板上有n个金属区，n＞1，每个金属区都对应设有金属延长区，其中n-1个金属区对应的金属延长区与所述TO底座上的n-1个管脚一一对应接触式电连接，余下1个陶瓷基板的金属区的金属延长区与所述探测器芯片负极连接。

7.一种用于高速率探测器芯片的TO-CAN封装装置，其特征在于，包括陶瓷基板、TIA芯片、TO底座、探测器芯片，其中TIA芯片倒装贴装在陶瓷基板上，并使所述TIA芯片的所有接地管脚均与所述陶瓷基板的GND金属圈电连接，同时使所述TIA芯片上除接地管脚外的部分管脚与所述陶瓷基板上的部分金属区一一对应电连接；TIA芯片仅IN管脚采用金线与探测器芯片连接，其他管脚均直接与陶瓷基板接触式电连接；所述陶瓷基板共晶焊接在TO底座上，并使得所述陶瓷基板上的部分金属区与所述TO底座上的部分管脚一一对应电连接；探测器芯片贴装在所述TIA芯片上，并使所述探测器芯片的正极与所述TIA芯片上IN管脚电连接，同时使所述探测器芯片的负极与所述陶瓷基板上对应的金属区电连接。