[发明专利]一种提升MOSFET抗单粒子栅穿的制造方法在审
| 申请号： | 202211297164.6 | 申请日： | 2022-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN115513059A | 公开（公告）日： | 2022-12-23 |
| 发明（设计）人： | 廖远宝;徐海铭;唐新宇;徐政;胡高康 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L23/552 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨强 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提升 mosfet 粒子 制造 方法 | ||
1.一种提升MOSFET抗单粒子栅穿的制造方法，其特征在于，包括：
在外延片上制作若干个沟槽，形成沟槽阵列结构，以消除平面型MOSFET中JFET区域，从而降低器件发生单粒子栅穿概率；
所述沟槽的宽度为4～10um，深度为3～6um。
2.如权利要求1所述的提升MOSFET抗单粒子栅穿的制造方法，其特征在于，通过如下方法在平面型MOSFET中引入沟槽阵列结构：
在外延片上淀积第一氧化硅层，挖出若干个沟槽，通过湿法工艺拔除第一氧化层；
在外延片上通过光刻和注入工艺定义出P阱区域；
利用高温牺牲氧化工艺，对沟槽侧壁进行修复并对P阱进行热处理，形成P阱与N外延结；通过湿法工艺拔除牺牲氧化层；
利用光刻工艺，定义N+区域，并对其进行热处理激活；
通过低温湿氧工艺生长栅氧化层并淀积多晶，通过多晶光刻腐蚀工艺完成栅极引出；
通过介质淀积和孔光刻，定义出接触孔图形；利用注入工艺实现孔的体接触；
最后通过金属淀积、利用光刻和腐蚀实现金属互联，完成整体器件。
3.如权利要求2所述的提升MOSFET抗单粒子栅穿的制造方法，其特征在于，所述沟槽的侧壁光滑、底部为圆角型、侧壁倾斜角度为88～90度。
4.如权利要求2所述的提升MOSFET抗单粒子栅穿的制造方法，其特征在于，所述栅氧化层的生长温度800～950℃。
5.如权利要求2所述的提升MOSFET抗单粒子栅穿的制造方法，其特征在于，所述孔光刻通过两步工艺来实现，第一步通过刻蚀介质停止在硅表面，第二步刻蚀出硅孔。
6.如权利要求5所述的提升MOSFET抗单粒子栅穿的制造方法，其特征在于，所述硅孔的深度一般在
7.如权利要求2所述的提升MOSFET抗单粒子栅穿的制造方法，其特征在于，利用注入工艺实现孔的体接触包括两步：第一步注入为高剂量BF2注入，形成欧姆接触；第二步为高剂量高能量B注入，目的为降低基区电阻提高抗单粒子能力。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
