[发明专利]超级结LDMOS器件的制作方法

权利要求书

1.一种超级结LDMOS器件的制作方法，其特征在于，包括在基底上形成栅极以及在所述基底中形成体区、漂移区和源/漏区的步骤，所述体区和所述漂移区接触设置，所述源/漏区中的源区位于所述体区中，所述源/漏区中的漏区位于所述漂移区中，其中，形成所述漂移区的步骤包括：

在所述基底的第一表面上形成第一掩膜层，所述第一掩膜层包括间隔设置的多个第一子区域，相邻所述第一子区域之间具有与所述第一表面连通的第一间隔区域；

通过所述第一间隔区域对所述基底进行掺杂，形成多个第一掺杂区；

在所述第一表面上形成第二掩膜层，所述第二掩膜层包括间隔设置的多个第二子区域，所述第二子区域与所述第一子区域交替设置；

去除所述第一掩膜层，以使相邻所述第二子区域之间具有与所述第一表面连通的第二间隔区域；

通过所述第二间隔区域对所述基底进行掺杂，形成多个第二掺杂区，所述第二掺杂区与所述第一掺杂区掺杂类型不同，且所述多个第一掺杂区和所述多个第二掺杂区构成所述漂移区。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述第一掩膜层的步骤包括：

在所述第一表面上顺序覆盖第一阻挡层和光刻胶层；

采用光刻工艺将所述光刻胶层图形化，得到图形化光刻胶层；

以所述图形化光刻胶层为掩膜刻蚀所述第一阻挡层，以形成所述第一掩膜层。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述第二掩膜层的步骤包括：

在所述第一表面上形成第二阻挡层，以使所述第二阻挡层中的部分覆盖所述第一掩膜层表面，所述第二阻挡层中的另一部分填充至所述第一间隔区域中；

去除所述第一掩膜层以及所述第二阻挡层中位于第一掩膜层表面的部分，剩余的所述第二阻挡层构成所述第二掩膜层。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的制作方法，其特征在于，形成所述多个第一子区域和所述多个第二子区域的步骤之前，还包括：

在所述第一表面上覆盖缓冲层；

采用光刻工艺在所述缓冲层上形成图形化体区；

通过所述图形化体区对所述基底进行离子注入，以形成所述体区。

5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，在形成所述漂移区的步骤之后，所述制作方法还包括以下步骤：

去除所述第二掩膜层和剩余的所述缓冲层。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区在第一方向上的深度相同，所述第一方向为垂直所述第一表面的方向。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述多个第一掺杂区与所述多个第二掺杂区在第二方向上的宽度相等，所述第二方向为所述第一掺杂区指向所述第二掺杂区的方向。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的制作方法，其特征在于，所述多个第一掺杂区与所述多个第二掺杂区在第三方向上的长度相等，所述第三方向为所述漏区指向所述源区的方向。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的制作方法，其特征在于，在形成所述漂移区的步骤之后，所述制作方法还包括以下步骤：

在所述体区中形成与所述源区接触的的体区接触区；在所述第一表面上形成与所述体区接触区、所述源/漏区和所述栅极接触的第一金属硅化物层，所述第一金属硅化物层包括与所述体区接触区和所述源区接触的第一部分和与所述漏区接触的第二部分；

在所述栅极远离所述第一表面的一侧形成第二金属硅化物层。

10.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述基底包括层叠的衬底和外延层，在形成所述漂移区的步骤之后，所述制作方法还包括以下步骤：

在所述基底中形成贯穿所述外延层至所述衬底的第一导电连接部，以使所述第一导电连接部与所述体区接触区和所述源区接触设置；

在所述第二部分上形成第二导电连接部，以使所述第二导电连接部与所述漏区接触设置；

在所述栅极远离所述第一表面的一侧形成场板，以使所述场板与所述第一导电连接部连接。