[发明专利]超级结LDMOS器件的制作方法

说明书

本发明提供了一种超级结LDMOS器件的制作方法。该制作方法中形成超级结LDMOS器件中的漂移区的步骤包括：在基底的第一表面上形成第一掩膜层，该第一掩膜层包括间隔设置的多个第一子区域，相邻的第一子区域之间具有与第一表面连通的第一间隔区域；通过第一间隔区域对基底进行掺杂，形成多个第一掺杂区；在第一表面上形成第二掩膜层，该第二掩膜层包括间隔设置的多个第二子区域，该第二子区域与第一子区域交替设置；去除第一掩膜层，以使相邻第二子区域之间具有与第一表面连通的第二间隔区域；通过第二间隔区域对基底进行掺杂，形成多个第二掺杂区，第二掺杂区与第一掺杂区的掺杂类型不同，且多个第一掺杂区和多个第二掺杂区构成漂移区。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种超级结LDMOS器件的制作方法。

背景技术

LDMOS(Lateral Diffusion Metal-Oxide Semiconductor，横向双扩散金属氧化物半导体)器件是目前应用在射频功率领域的重要器件。LDMOS可以看成一个低压MOS器件和一个承压层之间的组合，具体到LDMOS器件本身，这个承压层就是其漏端到栅端之间的浅掺杂漂移区。普通的LDMOS的漂移区一般是一个单一掺杂的区域，其导通电阻Ron和击穿电压Bv之间受到一个所谓“硅极限”定律的限制，满足Ron∝BV^2.5关系，即在实现较高的击穿电压的同时，其导通电阻Ron也会随之迅速增加，造成器件工作时的热功耗比较大。

现有技术中通过在漂移区中引入超级结结构，可以打破“硅极限”定律的限制，使得器件相较普通的LDMOS在实现很高击穿电压的同时，也具备较低的导通电阻。但是引入超级结之后的漂移区结构具有交错排布的N型、P型柱。现有的形成该N型、P型柱的方法是对漂移区分别进行两次光刻、两次注入。然而，这一办法会存在光刻的对偏问题使得部分区域没有注入，而部分区域NP柱之间互相交叠、补偿，最终形成不良的超结结构。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种超级结LDMOS器件的制作方法，以解决现有技术中存在离子注入对准偏差的问题。

为了实现上述目的，本发明提供了一种超级结LDMOS器件的制作方法，包括在基底上形成栅极以及在基底中形成体区、漂移区和源/漏区的步骤，体区和漂移区接触设置，源/漏区中的源区位于体区中，源/漏区中的漏区位于漂移区中，其中，形成漂移区的步骤包括：在基底的第一表面上形成第一掩膜层，第一掩膜层包括间隔设置的多个第一子区域，相邻第一子区域之间具有与第一表面连通的第一间隔区域；通过第一间隔区域对基底进行掺杂，形成多个第一掺杂区；在第一表面上形成第二掩膜层，第二掩膜层包括间隔设置的多个第二子区域，第二子区域与第一子区域交替设置；去除第一掩膜层，以使相邻第二子区域之间具有与第一表面连通的第二间隔区域；通过第二间隔区域对基底进行掺杂，形成多个第二掺杂区，第二掺杂区与第一掺杂区掺杂类型不同，且多个第一掺杂区和多个第二掺杂区构成漂移区。

进一步地，形成第一掩膜层的步骤包括：在第一表面上顺序覆盖第一阻挡层和光刻胶层；采用光刻工艺将光刻胶层图形化，得到图形化光刻胶层；以图形化光刻胶层为掩膜刻蚀第一阻挡层，以形成第一掩膜层。

进一步地，形成第二掩膜层的步骤包括：在第一表面上形成第二阻挡层，以使第二阻挡层中的部分覆盖第一掩膜层表面，第二阻挡层中的另一部分填充至第一间隔区域中；去除第一掩膜层以及第二阻挡层中位于第一掩膜层表面的部分，剩余的第二阻挡层构成第二掩膜层。

进一步地，形成多个第一子区域和多个第二子区域的步骤之前，还包括：在第一表面上覆盖缓冲层；采用光刻工艺在缓冲层上形成图形化体区；通过图形化体区对基底进行离子注入，以形成体区。

进一步地，在形成漂移区的步骤之后，制作方法还包括以下步骤：去除第二掩膜层和剩余的缓冲层。

进一步地，第一掺杂区与第二掺杂区在第一方向上的深度相同，第一方向为垂直第一表面的方向。