[发明专利]一种基于三相逆变功率开关模块的加热控制方法及装置

权利要求书

1.一种基于三相逆变功率开关模块的加热控制方法，其特征在于，所述方法包括：

检测所述三相逆变开关模块中逆变半桥的半桥电流；

基于所述半桥电流，调整所述逆变半桥的半桥死区时间，以使所述三相逆变开关模块中场效应管的体二极管发热功率相应调整。

2.根据权利要求1所述的基于三相逆变功率开关模块的加热控制方法，其特征在于，所述基于所述半桥电流，调整所述逆变半桥的半桥死区时间的步骤包括：

基于所述半桥电流计算所述逆变半桥的最小死区时间；

基于所述最小死区时间调整所述逆变半桥的半桥死区时间，以使所述半桥死区时间不小于所述最小死区时间。

3.根据权利要求1所述的基于三相逆变功率开关模块的加热控制方法，其特征在于，所述基于所述半桥电流，调整所述逆变半桥的半桥死区时间，以使所述三相逆变开关模块中场效应管的体二极管发热功率相应调整的步骤包括：

基于所述半桥电流计算所述逆变半桥的上限死区时间；

调整所述逆变半桥的半桥死区时间为所述上限死区时间，以使所述三相逆变开关模块中场效应管的体二极管发热功率最大。

4.根据权利要求3所述的基于三相逆变功率开关模块的加热控制方法，其特征在于，所述方法还包括：

确定所述三相逆变功率开关模块的最大发热功率；

判断所述半桥死区时间为所述上限死区时间时，所述三相逆变开关模块中场效应管的体二极管发热功率是否大于所述最大发热功率；

当所述三相逆变开关模块中场效应管的体二极管发热功率大于所述最大发热功率时，基于所述最大发热功率计算最优死区时间；

调整所述半桥死区时间为所述最优死区时间，以使所述三相逆变开关模块中场效应管的体二极管发热功率最优。

5.根据权利要求1所述的基于三相逆变功率开关模块的加热控制方法，其特征在于，所述三相逆变开关模块中具有三条逆变半桥，其中，每条逆变半桥包括两个场效应管。

6.一种基于三相逆变功率开关模块的加热控制装置，其特征在于，所述基于三相逆变功率开关模块的加热控制装置包括：

检测单元，用于检测所述三相逆变开关模块中逆变半桥的半桥电流；

调整单元，用于基于所述半桥电流，调整所述逆变半桥的半桥死区时间，以使所述三相逆变开关模块中场效应管的体二极管发热功率相应调整。

7.根据权利要求6所述的基于三相逆变功率开关模块的加热控制装置，其特征在于，所述调整单元包括：

计算子单元，用于基于所述半桥电流计算所述逆变半桥的最小死区时间；

调整子单元，用于基于所述最小死区时间调整所述逆变半桥的半桥死区时间，以使所述半桥死区时间不小于所述最小死区时间。

8.根据权利要求6所述的基于三相逆变功率开关模块的加热控制装置，其特征在于，所述调整单元包括：

计算子单元，用于基于所述半桥电流计算所述逆变半桥的上限死区时间；

调整子单元，用于调整所述逆变半桥的半桥死区时间为所述上限死区时间，以使所述三相逆变开关模块中场效应管的体二极管发热功率最大。

9.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括存储器以及处理器，所述存储器用于存储计算机程序，所述处理器运行所述计算机程序以使所述电子设备执行权利要求1至5中任一项所述的基于三相逆变功率开关模块的加热控制方法。

10.一种可读存储介质，其特征在于，所述可读存储介质中存储有计算机程序指令，所述计算机程序指令被一处理器读取并运行时，执行权利要求1至5任一项所述的基于三相逆变功率开关模块的加热控制方法。